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品牌 :
全部NEXPERIA(安世)DIODES(美台)TI(德州仪器)VISHAY(威世)ST(意法半导体)ON(安森美)ROHM(罗姆)YAGEO(国巨)MURATA(村田)INFINEON(英飞凌)TDKMICROCHIP(美国微芯)LITTELFUSE(美国力特)CJ(江苏长电/长晶)TE CONNECTIVITY(美国泰科)ADI(亚德诺)/LINEARTOSHIBA(东芝)FH(风华)UMW(友台半导体)LRC(乐山无线电)SGMICRO(圣邦微)UNI-ROYAL(厚声)YXC扬兴科技JSTNXP(恩智浦)EVERLIGHT(台湾亿光)YANGJIE(扬杰)AOSPANASONIC(松下)BORN(伯恩半导体)MOLEXMCC(美微科)PANJIT(强茂)NJRC(新日本无线)TAIYO YUDEN(太诱)BOURNS3PEAKBRIGHTKING(台湾君耀)晶导微电子MDDRICHTEK(台湾立锜)MICRONE(南京微盟)SUNLORD(顺络)NCE(新洁能)MAXIM(美信)TECH PUBLIC(台舟电子)WILLSEMI(韦尔)HGSEMI(华冠)TOREX(特瑞仕)UTC(友顺)
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PMBT2222A,215 产品实物图片
自营PMBT2222A,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
手册:数据手册
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)250mW
描述:三极管(BJT) 250mW 30V 600mA NPN SOT-23
库存:4878979
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0325
3000+0.0259
30000+
量大可议价
合计:0.03
1N5819HW-7-F 产品实物图片
自营1N5819HW-7-F
品牌:DIODES(美台)
封装:SOD123
手册:数据手册
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)450mV@1A
直流反向耐压(Vr)40V
整流电流1A
描述:肖特基二极管 450mV@1A 40V 1mA@40V 1A SOD-123
库存:4195317
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.116
3000+0.092
30000+
量大可议价
合计:0.12
PMBT3904,215 产品实物图片
自营PMBT3904,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
手册:数据手册
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)250mW
描述:三极管(BJT) 250mW 40V 200mA NPN SOT-23
库存:3085594
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0267
3000+0.0211
30000+
量大可议价
合计:0.03
1N4148W-7-F 产品实物图片
自营1N4148W-7-F
品牌:DIODES(美台)
封装:SOD123
手册:数据手册
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流300mA
描述:开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 300mA SOD-123
库存:2928606
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0631
3000+0.05
45000+
量大可议价
合计:0.06
BC817-40,215 产品实物图片
自营BC817-40,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
手册:数据手册
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)345mW
描述:三极管(BJT) 250mW 45V 500mA NPN SOT-23
库存:2767155
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0365
3000+0.029
45000+
量大可议价
合计:0.04
1N4148WS-7-F 产品实物图片
自营1N4148WS-7-F
品牌:DIODES(美台)
封装:SOD323
手册:数据手册
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)75V
整流电流150mA
描述:开关二极管 独立式 1.25V@150mA 75V 150mA SOD-323
库存:2730729
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.061
3000+0.0485
45000+
量大可议价
合计:0.06
BC856B,215 产品实物图片
自营BC856B,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
手册:数据手册
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)250mW
描述:三极管(BJT) 250mW 65V 100mA PNP SOT-23
库存:2654629
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0288
3000+0.0229
45000+
量大可议价
合计:0.03
BC817-25,215 产品实物图片
自营BC817-25,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
手册:数据手册
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)250mW
描述:三极管(BJT) 250mW 45V 500mA NPN SOT-23
库存:2503178
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0379
3000+0.0299
45000+
量大可议价
合计:0.04
LM393DT 产品实物图片
自营LM393DT
品牌:ST(意法半导体)
封装:8-SO
手册:数据手册
比较器数双路
输入失调电压(Vos)1mV
输入偏置电流(Ib)20nA
传播延迟(tpd)1.3us
描述:比较器 开集 5mV 1V~18V;2V~36V 250nA SOIC-8
库存:1730522
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.19
2500+0.166
37500+
量大可议价
合计:0.19
BAV99,215 产品实物图片
自营BAV99,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23
手册:数据手册
二极管配置1对串联式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流215mA
描述:开关二极管 1对串联式 1.25V@150mA 100V 215mA SOT-23
库存:1725854
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0287
3000+0.0228
45000+
量大可议价
合计:0.03
ES1D-E3/61T 产品实物图片
自营ES1D-E3/61T
品牌:VISHAY(威世)
封装:DO-214AC(SMA)
手册:数据手册
正向压降(Vf)920mV@1.0A
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流1A
反向电流(Ir)5uA
描述:二极管-标准-200V-1A-表面贴装型-DO-214AC(SMA)
库存:1645211
批次 : 25+
最小包 : 1800
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.189
1800+0.165
18000+
量大可议价
合计:0.19
LM358DT 产品实物图片
自营LM358DT
品牌:ST(意法半导体)
封装:8-SO
手册:数据手册
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)32V
增益带宽积(GBP)1.1MHz
输入失调电压(Vos)7mV
描述:运算放大器 0.6V/us 双路 20nA 800kHz SOIC-8
库存:1599984
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.191
2500+0.167
37500+
量大可议价
合计:0.19
BC847B,215 产品实物图片
自营BC847B,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
手册:数据手册
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)250mW
描述:三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN SOT-23
库存:1502327
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0347
3000+0.0275
45000+
量大可议价
合计:0.03
MMBT3904LT1G 产品实物图片
自营MMBT3904LT1G
品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
手册:数据手册
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)225mW
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 200mA NPN SOT-23
库存:1500460
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0479
3000+0.0381
45000+
量大可议价
合计:0.05
PMBT2907A,215 产品实物图片
自营PMBT2907A,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
手册:数据手册
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)60V
耗散功率(Pd)250mW
描述:三极管(BJT) 250mW 60V 600mA PNP SOT-23
库存:1499088
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0319
3000+0.0253
30000+
量大可议价
合计:0.03
BAS16,215 产品实物图片
自营BAS16,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
手册:数据手册
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流215mA
描述:开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 215mA SOT-23
库存:1493269
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0365
3000+0.0289
30000+
量大可议价
合计:0.04
BC847C,215 产品实物图片
自营BC847C,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
手册:数据手册
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)250mW
描述:三极管(BJT) 250mW 45V 100mA NPN SOT-23
库存:1490914
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0333
3000+0.0266
45000+
量大可议价
合计:0.03
TJM4558CDT 产品实物图片
自营TJM4558CDT
品牌:ST(意法半导体)
封装:8-SO
手册:数据手册
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)30V
增益带宽积(GBP)5.5MHz
输入失调电压(Vos)1mV
描述:运算放大器 1mV 双路 50nA 5.5MHz SOIC-8
库存:1408327
批次 : 25+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.254
2500+0.223
37500+
量大可议价
合计:0.25
ULN2003D1013TR 产品实物图片
自营ULN2003D1013TR
品牌:ST(意法半导体)
封装:SO-16
手册:数据手册
通道数七路
集射击穿电压(Vceo)50V
描述:达林顿晶体管阵列 50V 七路 SOIC-16
库存:1370651
批次 : 24+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.337
2500+0.295
37500+
量大可议价
合计:0.34
BZX84-C5V1,215 产品实物图片
自营BZX84-C5V1,215
品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
手册:数据手册
二极管配置独立式
稳压值(标称值)5.1V
反向电流(Ir)2uA@2V
稳压值(范围)4.8V~5.4V
描述:稳压二极管 独立式 5.1V 4.8V~5.4V 2uA@2V SOT-23
库存:1248482
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.0558
3000+0.0443
45000+
量大可议价
合计:0.06
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