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JKSEMI(金开盛)

JKSEMI(金开盛)

深圳市金开盛电子有限公司成立于2003年,专注于电路保护元器件的研发、生产和销售。作为一家高新技术企业,公司致力于为客户提供优质的电路保护解决方案,产品广泛应用于汽车电子、消费电子、工业设备等领域。金开盛电子拥有自主品牌"金开盛",并在行业内积累了丰富的经验和良好的口碑。公司技术团队由多名行业专家组成,具备强大的研发能力,能够根据客户需求定制产品。同时,金开盛电子注重质量管理,通过了ISO9001等国际质量体系认证,确保产品的高可靠性和稳定性。未来,公司将继续创新,不断拓展产品线,以满足市场日益增长的需求。

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
SMBJ40CA 产品实物图片
自营SMBJ40CA复制
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:SMB(DO-214AA)复制
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)40V复制
钳位电压64.5V复制
峰值脉冲电流(Ipp)9.3A复制
描述:TVS二极管可用于多种应用,如消费电子产品、电信和智能控制系统。复制
库存:10复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.29
3000+0.257
量大可议价
合计0.29
现在下单最快1小时发货
1N4148SOD-123 产品实物图片
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:SOD-123复制
二极管配置独立式复制
耗散功率(Pd)400mW复制
整流电流150mA复制
直流反向耐压(Vr)75V复制
描述:开关二极管 独立式 1V@10mA 75V 150mA SOD-123复制
库存:31320复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 100复制
增量 : 50复制
RoHS
无法确认批次
50+0.082892
500+0.064554
3000+0.053954
6000+0.047912
24000+0.042612
合计8.29
2-5 工作日内发货

数据13小时前更新

SMBJ3.3A 产品实物图片
SMBJ3.3A复制
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:DO-214AA(SMB)复制
极性单向复制
反向截止电压(Vrwm)3.3V复制
钳位电压7.3V复制
峰值脉冲功率(Ppp)600W复制
描述:特性:平面技术。 无卤且符合ROHS标准。 关断电压:3.3V。 在10×1000μs波形下具有600W的峰值脉冲功率能力。 出色的钳位能力。 快速响应时间复制
库存:25056复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 20复制
增量 : 10复制
RoHS
无法确认批次
10+0.399726
100+0.317258
300+0.27613
3000+0.251008
6000+0.22631
9000+0.213908
合计7.99
2-5 工作日内发货

数据15小时前更新

ULC0511CDN 产品实物图片
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:DFN1006-2复制
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压10V复制
峰值脉冲电流(Ipp)1A@8/20us复制
描述:ULC0511CDN是一款双向TVS二极管,采用领先的单片硅技术,具有快速响应时间、极低电容和低ESD钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ULC0511 CDN符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±15KV,接触放电±8KV。它采用超小型1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和极低电容使ULC0511CDN成为保护手机、数码相机、音频播放器、数据接口和许多其他便携式应用的理想选择。复制
库存:13160复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 100复制
增量 : 50复制
RoHS
无法确认批次
50+0.091372
500+0.070702
1500+0.059254
10000+0.053848
合计9.14
2-5 工作日内发货

数据15小时前更新

2N7002K 产品实物图片
2N7002K复制
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:未知复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)340mA复制
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 60V 340mA 1个N沟道 SOT-23复制
库存:8690复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 10复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:23+
10+0.05269
4175+0.05269
合计0.53
2-5 工作日内发货

数据11小时前更新

PESD0402MS05 产品实物图片
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:0402复制
复制
极性双向复制
钳位电压40V复制
反向电流(Ir)10nA复制
通道数单路复制
描述:PESD0402MS05聚合物静电放电(ESD)抑制器可保护敏感电子设备免受静电放电影响,且不会扭曲数据信号。这得益于其超低电容,仅为0.05 pF(I/O到地),可帮助设备通过IEC61000 - 4 - 2 4级测试(15KV空气放电、8KV接触放电)。复制
库存:8687复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 10复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:22+
10+0.08206
2681+0.08206
合计0.82
2-5 工作日内发货

数据23小时前更新

MV0402E120N3R0T 产品实物图片
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:0402复制
钳位电压188V复制
工作电压(DC)12V复制
静态电容3pF@1kHz复制
描述:-
库存:8211复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 40复制
增量 : 20复制
RoHS
无法确认批次
20+0.238818
200+0.187302
600+0.158682
2000+0.14151
合计9.55
2-5 工作日内发货

数据15小时前更新

JCA0510D1 产品实物图片
JCA0510D1复制
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:DFN0603-2复制
复制
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压20V复制
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us复制
描述:JCA0510D1是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。JCA0510D1的电容超低,典型值为0.4 pF,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)标准,空气放电±20 kV,接触放电±15 kV。该器件采用超小型0.6×0.3×0.3 mm无铅DFN封装。其尺寸小、电容超低且具有高ESD浪涌保护能力,使JCA0510D1成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。复制
库存:7726复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 30复制
增量 : 10复制
RoHS
无法确认批次
10+0.269134
100+0.243694
300+0.230974
1000+0.221434
5000+0.213802
合计8.07
2-5 工作日内发货

数据15小时前更新

SD103WT 产品实物图片
SD103WT复制
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:SOD-523复制
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)600mV@200mA复制
直流反向耐压(Vr)40V复制
整流电流350mA复制
描述:肖特基二极管 独立式 600mV@200mA 40V 350mA SOD-523复制
库存:6800复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 40复制
增量 : 20复制
RoHS
无法确认批次
20+0.201718
200+0.167374
600+0.148294
2000+0.136846
8000+0.124338
合计8.07
2-5 工作日内发货

数据13小时前更新

1N4148SOD-323 产品实物图片
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:SOD-323复制
复制
二极管配置独立式复制
耗散功率(Pd)200mW复制
整流电流150mA复制
直流反向耐压(Vr)75V复制
描述:开关二极管 独立式 1V@10mA 75V 150mA SOD-323复制
库存:5992复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 100复制
增量 : 50复制
RoHS
无法确认批次
50+0.090948
500+0.07261
3000+0.06201
6000+0.055862
合计9.09
2-5 工作日内发货

数据13小时前更新

JK-NSMD010SF 产品实物图片
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:1206复制
复制
耐压(Vmax)60V复制
最大电流(Imax)100A复制
保持电流(Ihold)100mA复制
跳闸电流(Itrip)250mA复制
描述:-
库存:5950复制
最小包 : 3500复制
起订量 : 40复制
增量 : 20复制
RoHS
无法确认批次
20+0.248146
200+0.193238
600+0.165784
3500+0.148824
合计9.93
2-5 工作日内发货

数据15小时前更新

JSMD1812-014 产品实物图片
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:1812复制
复制
耐压(Vmax)60V复制
最大电流(Imax)100A复制
保持电流(Ihold)140mA复制
跳闸电流(Itrip)340mA复制
描述:-
库存:5440复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:23+
1+0.21087
1043+0.21087
合计0.21
2-5 工作日内发货

数据20小时前更新

2410 T1A/250V 产品实物图片
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:2410复制
复制
类型贴片式保险丝复制
额定电流1A复制
额定电压250V复制
工作温度-55℃~+125℃复制
描述:-
库存:5312复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 20复制
增量 : 10复制
RoHS
无法确认批次
10+0.34079
100+0.269558
300+0.233942
1500+0.210198
4500+0.188786
合计6.82
2-5 工作日内发货

数据15小时前更新

JSMD0805-110 产品实物图片
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:0805复制
耐压(Vmax)6V复制
最大电流(Imax)100A复制
保持电流(Ihold)1.1A复制
跳闸电流(Itrip)2.2A复制
描述:-
库存:5219复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 40复制
增量 : 20复制
RoHS
无法确认批次
20+0.212318
200+0.166526
600+0.141086
4000+0.119674
合计8.49
2-5 工作日内发货

数据15小时前更新

ESD0301BU 产品实物图片
ESD0301BU复制
品牌:JKSEMI(金开盛)复制
封装:DFN1006-2复制
复制
反向截止电压(Vrwm)3.3V复制
钳位电压21V复制
峰值脉冲功率(Ppp)84W@8/20us复制
反向电流(Ir)100nA复制
描述:ESD0301BU是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护而设计。ESD0301BU典型电容为0.25pF,旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(空气放电±20kV、接触放电±20kV)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变 - EFT)(40A、5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。ESD0301BU采用超小型DFN1006封装。每个ESD0301BU器件可保护一条高速数据线。它为系统设计师在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。低电容、超小尺寸和高ESD抗扰度等特性的结合,使ESD0301BU非常适合高速数据端口和高频线路应用,如手机和高清视觉设备。复制
库存:5168复制
最小包 : 10000复制
起订量 : 20复制
增量 : 20复制
RoHS
无法确认批次
20+0.258852
200+0.201612
600+0.169812
2000+0.150732
合计5.18
2-5 工作日内发货

数据15小时前更新

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