
FUXINSEMI(富芯森美)
类目:
- 肖特基二极管
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 快恢复/高效率二极管
- 三极管(BJT)
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 稳压二极管
- 场效应管(MOSFET)
- 开关二极管
- 通用二极管
- 整流桥
- 线性稳压器(LDO)
- 达林顿管
- 超势垒整流器(SBR)
- 数字晶体管
- 电压基准芯片
- 碳化硅二极管
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
封装:
- SOD-123
- SOT-23
- SOD-323
- SMA(DO-214AC)
- SMB(DO-214AA)
- SMC(DO-214AB)
- SOD-123FL
- SMB
- SOD-523
- DFN1006-2L
- SOT-363
- SMA
- TO-252
- DO-214AA(SMB)
- DO-214AB(SMC)
- DO-214AC(SMA)
- TO-92
- SOD-323(SC-90)
- SOT-23(TO-236)
- DFN1006-2
- DO-27
- SMAF
- SOT-89
- TO-277B
- MBS
- SMC
- SOD-128
- DO-201AD
- SOT-323
- SOT-89-3
- POWERDI-123
- SMAF(DO-214AD)
- SOD-123F
- SOD-323HE
- SOT-23-6L
- TO-220A
- DFN1006
- DFN2510-10
- DO-218AB
- SOD-882
- SOT-143
- SOT-223
- TO-220AC
- TO-220B
- TO-263(D2PAK)
- TO-3P
- 0201
- DBS
- DO-214AB
- LL-34
- LL-34(SOD-80)
- SOT-23-3
- SOT-23-3L
- SOT-523
- TO-126
- TO-220C
- TO-220F
- TO-263
- ABS
- DFN2510-10L
- DO-214AC
- DO-218
- DO-35
- DO-41
- GBU
- SOD-523(SC-79)
- SOD-923
- TO-220
- TO-247-3
- TO-277
- TO-92-3
- 0402
- D3K
- DFN0603-2
- DFN1006-3L
- DFN1610-6L
- GBJ
- ITO-220AB
- ITO-220AC
- KBP
- MELF(DO-213AB)
- POWER-DI-123
- SMBJ(DO-214AA)
- SMD1006(0402)
- SOD-123HT
- SOD-123W
- SOP-8
- SOT-223-2
- SOT-323(SC-70)
- SOT-323-3
- SOT-353
- SOT-723
- SOT-89-3L
- TO-126-3
- TO-252(DPAK))
- TO-252AB(DPAK)
- TO-262
- TO-3PF
- TO-92-2.54MM
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):6.5V复制
钳位电压:11.2V复制
峰值脉冲电流(Ipp):17.9A复制
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) SMF6.5CA SOD-123复制库存:86700复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.0788
3000+¥0.0626
合计¥0.08
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二极管配置:独立式复制
正向压降(Vf):500mV@2A复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:2A复制
描述:肖特基二极管 独立式 500mV@2A 40V 2A复制库存:80522复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.0855
5000+¥0.0702
合计¥0.09
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极性:双向复制
反向截止电压(Vrwm):7V复制
钳位电压:20V复制
峰值脉冲电流(Ipp):18A复制
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) SM712 SOT-23(TO-236)复制库存:76427复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次:26+
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3000+¥0.125
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):850mV@1A复制
直流反向耐压(Vr):100V复制
整流电流:1A复制
描述:肖特基二极管 850mV@1A 100V 500nA 1A复制库存:66257复制
最小包 : 3000复制
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批次:26+
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):550mV@3A复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:3A复制
描述:肖特基二极管 550mV@3A 40V 500nA 3A复制库存:64317复制
最小包 : 3000复制
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批次:26+
1+¥0.118
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断态峰值电压(Vdrm):600V复制
通态电流(It):12A复制
浪涌电流:95A@50Hz复制
门极平均耗散功率(PG(AV)):1W复制
描述:晶闸管(可控硅)/模块 40mA 600V 单向可控硅 1.3V复制库存:61157复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次:26+
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3000+¥0.521
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):550mV@2A复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:2A复制
描述:肖特基二极管 550mV@2A 40V 500uA 2A复制库存:57170复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次:26+
1+¥0.0716
3000+¥0.0568
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):550mV@3A复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:3A复制
描述:肖特基二极管 550mV@3A 40V 500uA@40V 3A复制库存:46364复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
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二极管配置:独立式复制
正向压降(Vf):700mV@3A复制
直流反向耐压(Vr):60V复制
整流电流:3A复制
描述:肖特基二极管 独立式 700mV@3A 60V 3A复制库存:41332复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
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二极管配置:独立式复制
正向压降(Vf):700mV@3A复制
直流反向耐压(Vr):60V复制
整流电流:3A复制
描述:肖特基二极管 独立式 700mV@3A 60V 3A复制库存:4复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8折
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极性:单向复制
反向截止电压(Vrwm):5V复制
钳位电压:9.2V复制
峰值脉冲电流(Ipp):21.7A复制
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) SMF5.0A SOD-123复制库存:40753复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.0784
3000+¥0.0622
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二极管配置:独立式复制
正向压降(Vf):500mV@3A复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:3A复制
描述:肖特基二极管 独立式 500mV@3A 40V 3A复制库存:32284复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.119
5000+¥0.097
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二极管配置:独立式复制
正向压降(Vf):500mV@3A复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:3A复制
描述:肖特基二极管 独立式 500mV@3A 40V 3A复制库存:879复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8折
1+¥0.11662
合计¥0.12
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二极管配置:1个独立式复制
正向压降(Vf):1V@100mA复制
直流反向耐压(Vr):30V复制
整流电流:200mA复制
描述:肖特基二极管 1V@100mA 30V 2uA 200mA复制库存:26333复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.0383
3000+¥0.0304
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二极管配置:独立式复制
正向压降(Vf):550mV@5A复制
直流反向耐压(Vr):40V复制
整流电流:5A复制
描述:肖特基二极管 独立式 550mV@5A 40V 5A复制库存:24547复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.235
3000+¥0.208
合计¥0.24
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功率(Pd):1.2W复制
反向传输电容(Crss@Vds):17pF@50V复制
商品分类:场效应管(MOSFET)复制
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):310mΩ@4.5V,2A复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 100V 2A 1个N沟道 SOT-23复制库存:23911复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.201
3000+¥0.177
合计¥0.2
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断态峰值电压(Vdrm):600V复制
通态电流(It):2A复制
浪涌电流:20A@50Hz复制
门极平均耗散功率(PG(AV)):500mW复制
描述:晶闸管(可控硅)/模块 5mA 600V 双向可控硅 1.3V复制库存:23294复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.29
4000+¥0.258
合计¥0.29
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