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AOD417 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD417

商品编码: BM0000279425
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
0.483g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;50W 30V 25A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
14(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.48
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.48
--
100+
¥1.14
--
1250+
¥0.964
--
2500+
¥0.817
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD417参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A
栅源极阈值电压3V @ 250uA漏源导通电阻34mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W类型P沟道

AOD417手册

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AOD417概述

产品概述:AOD417 P沟道MOSFET

一、产品简介

AOD417是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),其主要应用在电源管理、负载开关和功率转换电路中。作为AOS品牌的产品,AOD417凭借其优异的电气性能和稳定的工作特性,广泛应用于各种电子设备和工业应用场景。

二、基本参数

  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 25A @ 25°C
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 3V @ 250μA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 34mΩ @ 20A, 10V
  • 最大功率耗散(Pd): 2.5W @ Ta=25°C
  • 封装类型: TO-252 (DPAK)
  • 工作温度范围: 适用于工业级温度

三、电气性能

AOD417的漏源电压达到30V,能够满足大多数低压电源应用的需求。其连续漏极电流高达25A,意味着在正常工作条件下,AOD417能够支持较大的负载电流,适合用于电源开关及其他高电流需求的场合。

该MOSFET的门源阈值电压为3V,这一参数使其在驱动时易于控制,特别适用于低电压逻辑电平驱动的电路。漏源导通电阻仅为34mΩ,这一特性大大降低了在工作中的功耗和热量,有助于提高整体系统的效率。

四、封装与散热特性

AOD417采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合在要求较高的应用环境中使用。该封装设计有助于降低工作温度,减少元件的过热风险,有利于延长设备的使用寿命。

最大功率耗散为2.5W,意味着在适当的散热条件下,该MOSFET能够适应多个应用场景,包括开关电源、LED驱动器、逆变器和电机控制等。

五、应用领域

AOD417的优异特性使其在多个应用领域表现出色。具体应用包括但不限于:

  • 电源管理: 在各种电源转换和管理系统中,AOD417能够用于DC-DC转换器、开关电源等。
  • 负载开关: 在需要控制大功率负载的系统中,如快速切换电源的电路。
  • 电机驱动: 在电动机控制电路中,AOD417能够提供高效率的开关性能。
  • 通信设备: 适用于需要电源切换和管理的通信设备。

六、总结

AOD417是一款性能卓越的P沟道MOSFET,凭借其较高的电压和电流额定值、低导通电阻以及良好的热管理特性,适合广泛的电子应用。无论是在电源管理,还是在负载开关等诸多领域,其卓越的性能表现都将为设计师提供极大的灵活性与可靠性。选择AOD417,意味着选择一款值得信赖的高效能元器件,以确保您的产品具备更强的市场竞争力。