类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 25A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 50W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.2nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 920pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
AOD417是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),其主要应用在电源管理、负载开关和功率转换电路中。作为AOS品牌的产品,AOD417凭借其优异的电气性能和稳定的工作特性,广泛应用于各种电子设备和工业应用场景。
AOD417的漏源电压达到30V,能够满足大多数低压电源应用的需求。其连续漏极电流高达25A,意味着在正常工作条件下,AOD417能够支持较大的负载电流,适合用于电源开关及其他高电流需求的场合。
该MOSFET的门源阈值电压为3V,这一参数使其在驱动时易于控制,特别适用于低电压逻辑电平驱动的电路。漏源导通电阻仅为34mΩ,这一特性大大降低了在工作中的功耗和热量,有助于提高整体系统的效率。
AOD417采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合在要求较高的应用环境中使用。该封装设计有助于降低工作温度,减少元件的过热风险,有利于延长设备的使用寿命。
最大功率耗散为2.5W,意味着在适当的散热条件下,该MOSFET能够适应多个应用场景,包括开关电源、LED驱动器、逆变器和电机控制等。
AOD417的优异特性使其在多个应用领域表现出色。具体应用包括但不限于:
AOD417是一款性能卓越的P沟道MOSFET,凭借其较高的电压和电流额定值、低导通电阻以及良好的热管理特性,适合广泛的电子应用。无论是在电源管理,还是在负载开关等诸多领域,其卓越的性能表现都将为设计师提供极大的灵活性与可靠性。选择AOD417,意味着选择一款值得信赖的高效能元器件,以确保您的产品具备更强的市场竞争力。