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AO4805 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO4805

商品编码: BM0000279819
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOIC8
包装 : 
编带
重量 : 
0.205g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 9A 2个P沟道 SOIC-8
库存 :
2958(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.27
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.27
--
100+
¥1.82
--
750+
¥1.63
--
1500+
¥1.54
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4805参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A
栅源极阈值电压2.8V @ 250uA漏源导通电阻19mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W类型双P沟道

AO4805手册

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AO4805概述

产品概述:AO4805双P沟道场效应管(MOSFET)

引言

在现代电子设计中,场效应管(MOSFET)作为一种重要的开关和放大元件,广泛用于各种应用中,如电源管理、负载开关、反向电流保护等。AO4805是一款双P沟道MOSFET,专为需要高可靠性和较低导通电阻的应用场合设计。本文将详细探讨AO4805的关键参数、性能及其应用领域。

基本参数

AO4805的基础参数如下:

  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 9A(在25°C时)
  • 栅源极阈值电压: 2.8V(@250uA)
  • 漏源导通电阻: 19mΩ(@8A, 10V)
  • 最大功率耗散(Ta=25°C): 2W
  • 类型: 双P沟道
  • 封装: SOIC-8
  • 品牌: AOS

性能特点

  1. 高电流承载能力: AO4805能够承载高达9A的连续漏极电流,这使其能够在较大负载条件下稳定工作,适合用于电源开关和驱动电机等需要较大电流的应用。

  2. 低导通电阻: 其导通电阻仅为19mΩ,这意味着在工作时能有效降低功耗和热量生成,提升系统的整体能效。这一特性在高频开关应用中尤为重要,能够减小开关损耗、增加转换效率。

  3. 适宜的电压范围: 30V的漏源电压使AO4805适用于多种中压电路,能够满足大部分常见的电力需求。

  4. 温度稳定性: AO4805在25°C的最大功率耗散为2W,其在高温环境下仍能保持较好的性能,适合辛苦的温度范围。

  5. 双P沟道设计: 作为双P沟道MOSFET,AO4805能够实现高密度集成,为电路布线节省空间,提高设计灵活性。

应用领域

AO4805 MOSFET适合多种电子产品和模块的应用,主要包括但不限于:

  • 电源管理: 适用于DC-DC变换器、线性稳压电源等需要高效开关的电源管理电路,能够有效提高功率转换效率。

  • 负载开关: 在家电电源开关、LED驱动电源及其他负载切换应用中,AO4805能够快速响应,保证负载的稳定性和安全性。

  • 电动机驱动: 在电动机控制电路中,利用AO4805的高电流承载能力,可以稳定控制马达的启停和转向,适用于电动工具、模型飞行器等。

  • 开关电源: 鉴于AO4805的快速开关能力和低导通损耗,它非常适合于开关电源(SMPS)拓扑结构,如反激式和升压式,同时降低了能量损耗。

总结

AO4805是一款性能优异的双P沟道场效应管,凭借其卓越的电流处理能力、低导通电阻和适合的电压范围,可广泛应用于电源管理、负载开关和电动机驱动等领域。它的设计充分考虑了现代电子设备对高效率、低热量和高集成度的要求,是高性能元器件的理想选择。对于追求高效能和小体积设计的工程师们,AO4805无疑是一个值得推荐的解决方案。