类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 150uA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V,200mA |
功率(Pd) | 330mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 60pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BS170FTA MOSFET 产品概述
BS170FTA 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET (金属氧化物场效应晶体管),具备出色的电气特性,适用于广泛的电子应用。它的漏源电压 (Vdss) 为 60V,连续漏极电流 (Id) 在 25°C 时最大为 150mA。此器件专为要求高性能和可靠性的电路设计而优化,广泛应用于开关电源、马达驱动、信号放大和其他与传感器相关的应用中。
漏源电压 (Vdss): 60V
连续漏极电流 (Id): 150mA @ 25°C
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 1mA
漏源导通电阻 (Rds(on)): 5Ω @ 200mA, 10V
最大功率耗散: 330mW (@ Ta = 25°C)
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
封装类型: SOT-23-3
BS170FTA 适用于多种电子产品和电路,其中包括但不限于:
BS170FTA 是一款经济实用的 N 沟道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围以及紧凑的封装设计,使其在竞争中脱颖而出。无论是在高效电源转换、信号开关还是精密电子控制领域,BS170FTA 均能提供可靠的解决方案,是现代电子产品中不可或缺的元件之一。
在设计和选择 MOSFET 时,考虑其电气特性和应用场景是至关重要的。BS170FTA 凭借其均衡的性能特征和良好的性价比,适合广泛的电子设计需求,并受到众多设计工程师的青睐。