
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个NPN-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 晶体管类型 | NPN |
| 直流电流增益(hFE) | 56 |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2V@20mA,0.3V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV |
| 输入电阻 | 1kΩ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
| 特征频率(fT) | 200MHz |
DRDNB16W-7 是一款高性能的数字晶体管,采用 NPN 预偏压设计,适合各种数字电路和放大器应用。其额定功率为 200mW,集电极电流 (Ic) 可高达 600mA,具备优异的电流增益特性和高达 200MHz 的工作频率。采用紧凑的 SOT-363 封装,使得其在空间受限的电路设计中具有良好的适应性和可布局性。
DRDNB16W-7 在众多应用场景中发挥着重要作用,主要包括但不限于:
在众多应用中,设计师应考虑以下关键因素以确保 DRDNB16W-7 的最佳性能:
DRDNB16W-7 是一款功能强大且 versatile 的数字晶体管,能够满足现代电子设备对高性能和高效能的需求。无论是用于消费电子、工业控制还是通信设备,其卓越的性能和可靠性都能确保设计的成功实施。选择 DRDNB16W-7,将为您的项目提供一个可靠的解决方案。