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BC857BLT1G 产品实物图片
BC857BLT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC857BLT1G

商品编码: BM0000280709
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 45V 100mA PNP SOT-23
库存 :
49472(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.529
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.529
--
200+
¥0.176
--
1500+
¥0.11
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC857BLT1G参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)45V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

BC857BLT1G手册

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BC857BLT1G概述

产品概述:BC857BLT1G PNP型晶体管

基本信息

BC857BLT1G 是一种表面贴装式 PNP 晶体管,专为低功耗应用而设计,适合那些需要高灵敏度、低噪声和高增益的电路。其最大集电极电流 (Ic) 为 100mA,最大集射极击穿电压 (Vce) 为 45V,使其成为多种电子应用的理想选择。包装形式为 SOT-23-3 (TO-236),确保其在空间受限的电路板上具有良好的适应性。

关键参数

  • 晶体管类型:PNP
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):45V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):当 Ib 为 5mA,Ic 为 100mA 时,最大饱和压降为 650mV。
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大为 15nA,体现出其优越的响应特性。
  • 直流电流增益 (hFE):最小值为 220,这一高增益使得在各种应用中可有效放大信号。
  • 最大功率耗散:300mW
  • 频率响应:跃迁频率高达 100MHz,适合高频应用。
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C,保障其在极端环境下的可靠性。

封装与安装

BC857BLT1G 采用 SOT-23-3 封装,这种小巧的封装设计不仅节省了电路板空间,同时还支持自动贴装,提升了生产效率。其表面贴装型设计使得元器件的安装更加便捷,符合现代电子设备对小型化以及高性能的需求。

应用场景

BC857BLT1G PNP型晶体管广泛应用于各类电子及电气设备中,特别是在以下几个领域中表现出色:

  1. 线性放大器:利用其高增益和低噪声特性,适用于音频信号放大和仪器放大器等。

  2. 开关电路:作为开关元件,其饱和压降和集电极截止电流特性使其能够在低功率开关应用中高效工作。

  3. 模数转换器:配合其他电子元器件,BC857BLT1G 可用于模数转换过程中的信号处理,增强转换精度。

  4. 电流源与电流镜:广泛应用在电流源和电流镜电路中,以提供稳定的电流输出。

  5. 逆变器和直流-直流转换器:在从直流电源转换电源类型时,BC857BLT1G 可作为关键控制元件之一。

竞争优势

凭借 ON 半导体的优质制造工艺与严苛的质量控制,BC857BLT1G 提供了极好的性能和稳定性,满足了许多高要求电子项目的需求。其高增益、低噪声和宽工作温度范围,使其在市场上具有较强的竞争力。对于设计工程师而言,该元器件可以帮助减少设计复杂性,并提高最终产品的可靠性与性能。

结论

BC857BLT1G 是一款具备优异性能参数和丰富应用潜力的 PNP 晶体管,能够在多种电子产品中扮演至关重要的角色。无论是在音频设备、开关电源,还是在高频电子系统中,其稳定性和高效能都使其成为电子工程师的首选元器件之一。在现代电子设备日益向小型化与高性能发展的背景下,BC857BLT1G 的设计理念和技术优势使其将不断满足市场的多样化需求。