类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 3.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 115mΩ@1.8V,1.0A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.7nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 915pF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 183pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP1046UFDB-7 是由 DIODES(美台)出品的一款双 P 沟道场效应管(MOSFET),广泛应用于各类电源管理和开关电路中。这款 MOSFET 具有出色的性能,特别适合于需要高效率和低功耗的设计。在最新的电子设备中,对电能的节约与管理变得越来越重要,因此选择合适的 MOSFET 将显著影响整体性能和能耗。
DMP1046UFDB-7 采用 U-DFN2020-6 表面贴装型封装,具有 6 个引脚,易于批量生产及自动化组装。该封装设计有效减小了器件的占用空间,满足对空间要求苛刻的小型电子设备的需求,同时裸露焊盘设计也有助于提升热导性能。
DMP1046UFDB-7 作为一种高性能的 MOSFET,应用场景极为广泛,常见的应用包括:
凭借其低导通电阻、较宽的工作温度范围及优良的功率处理能力,DMP1046UFDB-7 是一款非常热适应能力强、性能可靠的双 P 沟道 MOSFET。适合各种需要低开关损耗和高效率的应用场合,包括但不限于电源管理、变换器设计、以及电池和电机控制等方面。无论是在消费电子还是工业设备中,DMP1046UFDB-7 都能够提供稳定、可靠的性能,帮助工程师实现更高效的设计解决方案。