类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 10.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@4.5V,8.8A |
功率(Pd) | 1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 68.6nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.426nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 235pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP4013LFGQ-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET(场效应管),适用于多种电子应用。它具有出色的电流处理能力和低导通电阻,使其在需要高效率和高可靠性的电源管理、负载开关、和电动机控制等应用中表现优异。该器件的关键参数包括漏源电压(Vdss)为 40V,最大连续漏极电流(Id)达到 10.3A,确保其能够在高电压和高电流环境下稳定工作。
漏源电压 (Vdss): 40V
连续漏极电流 (Id): 10.3A (25°C时)
导通电阻 (Rds(on)): 13 mΩ @ 10A, 10V
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250uA
栅极电荷 (Qg): 68.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss): 3426pF @ 20V
DMP4013LFGQ-7 适用于各种电子和电力系统中,其中包括但不限于:
DMP4013LFGQ-7 的优良性能与广泛的适用性使其成为电子设计中的重要一员,适合工程师在电源管理和开关应用中使用。结合其高效能与低导通电阻的特点,DMP4013LFGQ-7 为现代电子产品的性能提升和能效优化提供了强有力的支持,是各种电子项目中不可或缺的选择。