晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | 功率(Pd) | 500mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@500mA,2V | 特征频率(fT) | 150MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@2A,200mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FMMT449TA 是一种高性能的 NPN 型三极管,由 DIODES(美台)公司生产,适用于各类电子电路中的信号放大和开关应用。它的特点包括优秀的电流和电压特性、良好的频率响应及宽广的工作温度范围,使其能够在各种苛刻环境下正常运行。
晶体管类型: FMMT449TA 是一种 NPN 型三极管,这意味着它在电路中的电流流动方向为负电流至正电流,非常适合在需要负载驱动的应用中使用。
集电极电流 (Ic): 该器件的最大集电极电流为 1A,适合大多数中小功率的应用,能应对各种负载需求。
集射极击穿电压 (Vce): 集射极击穿电压最大值为 30V,这使得 FMMT449TA 可以安全地用于低至中等电压的电路中,避免了高压应用带来的风险。
Vce 饱和压降: 在集电极电流为 200mA 和 2A 时,Vce 的饱和压降最大值为 1V。这表示该三极管在导通状态下的能量损耗非常小,有助于提升电路的整体效率。
集电极截止电流 (ICBO): 最大集电极截止电流为 100nA,这表明在关闭状态下,几乎没有电流流过,提高了电路的稳定性和可靠性。
直流电流增益 (hFE): 在 500mA 和 2V 的条件下,该器件的 DC 电流增益(hFE)最小值为 100。这使得 FMMT449TA 在进行信号放大时具备较高的增益,适合低功率音频放大器及其他信号处理电路。
功率规格: FMMT449TA 的最大功率为 500mW,能适应中等功率条件下的操作,适合许多便携式电子设备。
频率响应: 该三极管具有 150MHz 的跃迁频率,适合高频应用,如 RF 放大器和高频开关电路。
工作温度范围: FMMT449TA 的工作温度从 -55°C 到 150°C,这使得它在极端环境条件下也能稳定工作,如航空航天和军事设备。
封装及安装类型: 该器件采用 SOT-23 封装,适合表面贴装,便于现代自动化生产线的高效组装,是紧凑设计的理想选择。
FMMT449TA 三极管广泛应用于多种领域,包括但不限于:
FMMT449TA 是一种高效、可靠的 NPN 三极管,非常适合各类电子设计。其宽广的电压和电流范围、高增益、低能量消耗以及在极端温度下的稳定性,使其成为当今电子设备中不可或缺的组件。无论是用于日常消费电子产品,还是工业及专业设备,FMMT449TA 都能提供出色的性能与高效的解决方案。