类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,28A |
功率(Pd) | 300W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 234nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.057nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 161pF@100V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
基本信息: IRFP260NPBF是一款高效、耐用的N通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、逆变器、高频开关等领域。其出色的性能使其成为电力电子设备和工业应用中不可或缺的元件。
主要参数:
热管理与功率耗散: IRFP260NPBF的最大功率耗散能力为300W(在结温Tc情况下),合适的散热设计可以确保其高效稳定运行。其宽广的工作温度范围为-55°C至175°C,使其适用于苛刻环境下的应用。
输入电容与开关特性: 在输入条件下,该MOSFET的最大输入电容(Ciss)为4057pF(@ 25V),这一特性在高频应用中对于降低开关损耗和提升系统响应速度至关重要。高输入电容使其在开关频率较高的应用中能够有效降低由于电容充电而带来的功耗。
应用领域: IRFP260NPBF广泛应用于工业电源、太阳能逆变器、电机控制、开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高电压和高电流控制的电力电子电路。其出色的性能和耐用性,令其在各种复杂和苛刻的应用条件下表现出色。
封装形式: 该MOSFET采用TO-247AC封装,便于安装并能有效散热,适合通孔安装,符合工业标准,便于在各种电路中集成。
总结: IRFP260NPBF是一款性能卓越的N通道MOSFET,融合了高电流承载能力、低导通电阻和较好的开关特性,适用于多种电力电子应用。其温度范围和耐压性能使其在许多工程应用中展现了卓越的可靠性和稳定性,为工程师们提供了一个理想的解决方案。无论是在高频应用,还是在高功率设备中,IRFP260NPBF都能为现代电力电子系统提供出色的表现和可靠的操作环境。