IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
集电极电流(Ic) | 80A | 功率(Pd) | 555W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.4V@15V,40A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 370nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 475ns |
导通损耗(Eon) | 2.7mJ | 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ |
反向恢复时间(Trr) | 65ns | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
FGH40T120SMD是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),由知名电子元器件制造商ON Semiconductor(安森美)推出。该器件采用沟槽型场截止设计,适用于高电压和高电流应用,特别适合用于电力电子设备,如逆变器、电动机驱动器和高频电源模块等。
电压和电流特性:
导通电阻和功率:
开关性能:
反向恢复特性:
环境适应能力:
FGH40T120SMD采用TO-247-3封装结构,属于通孔安装类型。这种封装形式优点在于良好的散热性能,适合高功率应用环境。TO-247的设计使得用户在布局和焊接过程中更加简便,同时也为散热提供了良好的解决方案。
FGH40T120SMD的设计使其广泛适用于以下领域:
FGH40T120SMD是一款兼具高效能与多功能的IGBT,其优越的电气特性和广泛的应用领域使其成为电力电子设计中不可或缺的重要器件。凭借其可靠的性能和高效的开关特性,FGH40T120SMD能够满足现代化电力控制系统的需求,助力各种高性能电子产品的开发与应用。选择FGH40T120SMD,您将获得可靠性与性能俱佳的解决方案,在竞争激烈的市场中脱颖而出。