类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@10V,2.9A |
功率(Pd) | 43W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 23nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 300pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品简介
IRFR220NTRPBF是一种高性能的N沟道MOSFET,具有优异的电气特性和热性能,特别适用于高压和高效率的开关电源、DC-DC变换器、电机驱动以及其他功率管理应用。该器件由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)设计和生产,封装形式为TO-252-3(DPAK),旨在满足现代电子设备对性能和可靠性的高要求。
关键规格
应用场景
IRFR220NTRPBF能够广泛应用于多种电力电子设备中,特别是需要高功率和高效率的领域:
电气特性分析
该MOSFET的最大脉冲电流和漏电压特性使其能够处理瞬态负载和高压波动。低导通电阻和高功率耗散能力确保其在长时间运行时不会过热,从而提高系统的可靠性和效率。此外,其宽工作温度范围使得IRFR220NTRPBF能够在极端环境下安全工作,是要求严格的工业应用的理想选择。
总结
总而言之,IRFR220NTRPBF是一款性能卓越、可靠性强的N沟道MOSFET,适应性广泛,适合多个领域的应用。通过其优异的规格和设计,用户可以利用该器件实现高效的电能管理和系统优化。无论是在新设计的硬件开发中,还是在升级现有设备时,IRFR220NTRPBF都是一个值得考虑的优质选择。