| 晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V | 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 直流电流增益(hFE) | 125@2mA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个PNP |
BC856,215 是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),专为低功耗和高频应用而设计。该晶体管以其出色的电气性能和可靠性,被广泛应用于各类电子设备中,尤其是在轻载驱动电路和信号放大应用中表现卓越。它的额定功率为250mW,集电极电流最大值为100mA,集射极击穿电压为65V,适合多个应用场景。
BC856,215 广泛应用于消费电子、通信、工业控制和汽车电子等多个领域。主要应用场景包括:
BC856,215 凭借其出色的电气性能、小型化的封装和广泛的应用范围,是设计师在选择PNP型晶体管时的一款理想选择。无论是在消费电子、通信设备,还是在更为复杂的工业和汽车应用中,BC856,215 都能满足各种需求,并提供持续的可靠性和高效的信号处理能力。选择BC856,215,使设计更出色、性能更卓越、效率更高。