漏源电压(Vdss) | 100V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 170mA |
栅源极阈值电压 | 2V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 6Ω @ 170mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 300mW | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6 欧姆 @ 170mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 60pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 300mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
一、产品简介
BSS123-7-F 是一款高效能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),被广泛应用于各种电子电路中的开关和放大器。其主要特点是具有较高的漏源电压(Vdss)和较大的连续漏极电流(Id),适合于高压和小电流应用。本产品采用 SOT-23 封装,适合表面贴装,能够大幅降低 PCB 上的空间占用。由 DIODES(美台)品牌制造,具备良好的品质和性能。
二、核心参数
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 170mA (25°C)
栅源极阈值电压: 2V @ 1mA
漏源导通电阻: 6Ω @ 170mA, 10V
最大功率耗散: 300mW (Ta=25°C)
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: 表面贴装型
三、应用领域
BSS123-7-F的广泛应用领域包括但不限于:
四、产品优势
五、设计注意事项
在设计期间,工程师需要注意 BSS123-7-F 的工作栅源电压(Vgs max = ±20V)可能会限制某些电路设计。在某些高频应用中,使用更高输入电容(Ciss max = 60pF @ 25V)可能会影响切换速度,因此应充分考虑在设计时的负载情况与驱动电路的输出能力。
总结
BSS123-7-F 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET,适应于多种应用场合,特别是高压和中等电流需要的电路。其优良的电气特性、宽温度范围和紧凑封装使其成为设计人员优先考虑的器件之一。在现代电子产品日益要求高功率密度和小型化的今天,BSS123-7-F 及其同类产品提供了一种理想的解决方案。