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BSS123-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BSS123-7-F

商品编码: BM0000281594
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 300mW 100V 170mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2779(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.651
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.651
--
200+
¥0.217
--
1500+
¥0.136
--
3000+
¥0.0935
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS123-7-F参数

漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)(25°C 时)170mA
栅源极阈值电压2V @ 1mA漏源导通电阻6Ω @ 170mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)300mW类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)170mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 欧姆 @ 170mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)60pF @ 25V
功率耗散(最大值)300mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

BSS123-7-F手册

BSS123-7-F概述

BSS123-7-F 产品概述

一、产品简介

BSS123-7-F 是一款高效能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),被广泛应用于各种电子电路中的开关和放大器。其主要特点是具有较高的漏源电压(Vdss)和较大的连续漏极电流(Id),适合于高压和小电流应用。本产品采用 SOT-23 封装,适合表面贴装,能够大幅降低 PCB 上的空间占用。由 DIODES(美台)品牌制造,具备良好的品质和性能。

二、核心参数

  1. 漏源电压(Vdss): 100V

    • 该值是产品能够承受的最大漏源电压,适合高压电路应用。
  2. 连续漏极电流(Id): 170mA (25°C)

    • 该参数表示在25°C时,BSS123-7-F可以持续提供的最大电流,适合中等负载电流的应用场合。
  3. 栅源极阈值电压: 2V @ 1mA

    • 该值表示开启 MOSFET 需要的最低栅源电压,对于低电压控制电路非常重要。
  4. 漏源导通电阻: 6Ω @ 170mA, 10V

    • 在最大 Id 条件下导通电阻为6Ω,意味着其在开启状态下的损耗极小,从而提高了功率转换效率。
  5. 最大功率耗散: 300mW (Ta=25°C)

    • 本产品在环境温度为25°C时能够散失的最大功率,适用于中功率应用场景。
  6. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)

    • BSS123-7-F的宽工作温度范围使其在极端环境中仍能正常工作,十分适合工业及汽车电子应用。
  7. 安装类型: 表面贴装型

    • SOT-23 封装,方便进行自动化生产及焊接。

三、应用领域

BSS123-7-F的广泛应用领域包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其高电压承受能力和低导通电阻,适合用作开关电源中的主控 MOSFET。
  • 信号放大器: 通过适当的电路设计,BSS123-7-F 可以用作低功率信号的放大器。
  • 负载开关: 用于负载的开关与控制,能够有效调节电源的开与关。
  • 驱动电路: 适合用于各类逻辑电平驱动电路。

四、产品优势

  • 高效率: 较低的导通电阻意味着在职业工作中将产生更低的功耗,从而提升了整体电路的热性能和效率。
  • 出色的热管理: BSS123-7-F在较高工作温度下仍能稳定工作,适合各种不同的工作环境。
  • 小型高功率解决方案: SOT-23 封装有效节省了电路板的空间,为紧凑设计提供了潜在的优势。

五、设计注意事项

在设计期间,工程师需要注意 BSS123-7-F 的工作栅源电压(Vgs max = ±20V)可能会限制某些电路设计。在某些高频应用中,使用更高输入电容(Ciss max = 60pF @ 25V)可能会影响切换速度,因此应充分考虑在设计时的负载情况与驱动电路的输出能力。

总结

BSS123-7-F 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET,适应于多种应用场合,特别是高压和中等电流需要的电路。其优良的电气特性、宽温度范围和紧凑封装使其成为设计人员优先考虑的器件之一。在现代电子产品日益要求高功率密度和小型化的今天,BSS123-7-F 及其同类产品提供了一种理想的解决方案。