圣禾堂在线买通用器件,上圣禾堂更省钱!
圣禾堂在线买通用器件,上圣禾堂更省钱!
MJD44H11T4 产品实物图片
MJD44H11T4 产品实物图片
MJD44H11T4 产品实物图片
MJD44H11T4 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MJD44H11T4RoHS
商品编码:
BM0000281956复制
品牌:
ST(意法半导体)复制
封装:
DPAK复制
包装:
编带复制
重量:
0.44g复制
描述:
三极管(BJT) 20W 80V 8A NPN复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
MJD44H11T4参数
属性
参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)8A
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)20W
直流电流增益(hFE)40
属性
参数值
集电极截止电流(Icbo)10uA
集射极饱和电压(VCE(sat))1V
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN
MJD44H11T4手册
MJD44H11T4概述

MJD44H11T4 产品概述

MJD44H11T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 NPN 型功率晶体管,采用 DPAK 封装,专为各种需要高电流和高电压的电子应用而设计。作为一款集成度高且功能强大的元器件,MJD44H11T4 适用于现代电子电路的多种需求,例如电源管理、马达驱动、开关电路等领域。

基本特性

  1. 封装和安装类型

    • MJD44H11T4 采用 DPAK 封装(TO-252-3),这是一种表面贴装(SMT)元件,通过其良好的热散能力非常适合高功率应用。
    • DPAK 封装的设计使得 MJD44H11T4 可以轻松集成到现代的电路板中,尤其是在空间有限的情况下。
  2. 电气特性

    • 电压-集射极击穿(最大值):80V。这一特性使得 MJD44H11T4 能够在较高电压的工作环境中稳定运作,满足多种工业和消费电子设备的需求。
    • 集电极电流(Ic最大值):8A。这表明该晶体管能够处理较大的电流负载,适合用作开关或放大器。
    • 功率(最大值):20W,支持高达20W的功率输出,进一步提升在高功耗应用中的可靠性。
    • 饱和压降(最大值):在不同的 Ic 和 Vce 情况下,MJD44H11T4 的饱和压降最大为1V @ 400mA 和 8A,这对于提高驱动效率至关重要。
    • 电流增益(hFE最小值):在4A和1V条件下,的 DC 电流增益最小值为40,使得该晶体管在小信号驱动下能够实现良好的放大效果。
  3. 温度范围

    • MJD44H11T4 的工作温度范围可达到150°C(TJ),使得它能够在高温环境中稳定工作,满足严格工业应用的需求。
  4. 截止电流

    • 集电极截止电流最大值为10µA,这意味着在关闭状态下的泄漏电流极低,显示出良好的开关特性。

应用场景

由于其卓越的电气性能,MJD44H11T4 可广泛应用于以下领域:

  • 电源供应:常用于开关电源、高效直流-直流变换器等设计中,帮助提升整体电源转换效率。
  • 电动机驱动:应用于直流电动机和步进电机的驱动电路,提供强大的动态复合能力和快速响应能力。
  • 功率放大器:可以用于音频放大器电路,提供高功率的音频输出,适用于音响设备或其他需要高保真度音频的产品。
  • 自动化控制:在工业自动化中,MJD44H11T4 常被用于控制电磁阀、继电器和其他自动化组件,实现高效的开关控制。

总结

MJD44H11T4 作为一款高性能 NPN 功率晶体管,凭借其优秀的电气特性和宽泛的应用范围,成为设计师在选择功率转运、开关控制和放大应用时的重要选择。无论是在消费类电子、工业自动化还是电源管理系统中,MJD44H11T4 均能提供可靠的性能和稳定的工作条件,将为电路设计带来极大的便利。随着电子设备功率要求不断增加,MJD44H11T4 的优势将进一步凸显,是实现高效电路设计的重要元件。

最新价格

梯度
单价(含税)
1+
¥1.11
2500+
¥1.05
37500+

库存/批次

库存
批次
28961复制
24+复制

购买数量起订量1,增量1

单价1.11
合计:0