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MMST2907A-7-F

- 商品编码: BM0000282150复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-323复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.000014复制
- 描述: 三极管(BJT) 200mW 60V 600mA PNP复制
MMST2907A-7-F参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 特征频率(fT) | 200MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个PNP |
MMST2907A-7-F手册
MMST2907A-7-F概述
MMST2907A-7-F 产品概述
产品简介
MMST2907A-7-F 是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),由DIODES(美台)公司生产。该晶体管具备极为优秀的特性,广泛应用于信号放大、开关电路和其他高频应用,尤其适用于需要高效能和低功耗的电子设备中。MMST2907A-7-F封装采用表面贴装型SOT-323,适合小型化设计,使得它在现代电子产品的设计中扮演着重要角色。
关键参数
- 晶体管类型:PNP
- 集电极电流(Ic)最大值:600mA
- 集射极击穿电压(Vce(max)):60V
- 饱和压降(Vce(sat)):在不同的集电极电流下,最大值为1.6V,分别在50mA和500mA时测量。
- 集电极截止流(ICBO)最大值:10nA
- 直流电流增益(hFE):在150mA和10V的条件下,最小值为100
- 最大功率:200mW
- 频率跃迁:高达200MHz
- 工作温度范围:-55°C至150°C(结温TJ)
- 封装:SC-70/SOT-323
应用领域
MMST2907A-7-F被广泛应用于多种领域,主要包括:
消费电子: 适用于便携式电子产品如音频放大器、手机及其他智能设备,提供必需的信号放大和开关功能。
工业控制: 在各种自动化和控制系统中,作为开关元件或信号放大器,MMST2907A-7-F能够承受较高的电流和电压,使其成为工业应用的理想选择。
射频(RF)应用: 由于其高达200MHz的频率跃迁能力,该晶体管非常适合用于RF电路中,如无线通信和射频前端部分。
电源管理: 特别是在需要高效率的电源管理电路中,MMST2907A-7-F凭借其低饱和压降和高增益特性,可以有效提升电源转换效率,减小功耗。
产品优势
- 小型化设计:SOT-323封装提供了小巧的尺寸,适合当前电子产品日益追求的轻薄化趋势。
- 高电流和电压能力:拥有600mA的集电极电流和60V的集射极击穿电压,可以满足多种严苛环境的需求。
- 高性能特性:极低的截止电流和优异的直流电流增益使得该晶体管在多种应用中保持出色的性能。
- 广泛的工作温度范围:-55°C至150°C的工作温度使其能够在极端环境中可靠工作。
结论
MMST2907A-7-F作为一款功能强大的PNP型晶体管,不仅拥有高性能的电气参数和广泛的应用领域,且以其优越的封装形式和可靠性满足当今电子产品的需求。无论是在消费电子、工业控制还是射频电路中,其均能发挥重要作用。凭借其出色的特性,MMST2907A-7-F将继续推动现代电子技术的发展,为设计师和工程师提供更多设计自由度和应用可能性。
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