额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PDTA143ZT,215是一款由Nexperia(安世半导体)生产的数字晶体管,提供稳定可靠的性能。其设计目标是为各种电子应用提供优异的开关特性和高效的信号放大功能。这款PNP型预偏置晶体管封装采用TO-236AB,也称为SOT-23封装,非常适合表面贴装(SMD)设计,适用于现代电子设备的紧凑空间。
额定功率:PDTA143ZT,215的额定功率为250mW。这使得它在不同的工作环境中能够稳定运行,适合多种低功耗应用。
集电极电流 (Ic):最大集电极电流为100mA,能够满足大多数信号处理和小功率开关电路的需求。
集射极击穿电压 (Vce):其最大集射极击穿电压为50V,使其适用于一般的低压电路,具有较高的耐压能力。
电流增益 (hFE):在不同的集电极电流和基极电流条件下,PDTA143ZT,215可以提供最大的直流电流增益(hFE)值为100,测量条件为10mA的Ic和5V的Vce。这个特性确保了在信号放大时,晶体管能够有效地降低输入信号的需求。
饱和压降:该器件在低电流条件下,其最大饱和压降可达到100mV(在250µA和5mA时),确保在开关状态时提供高效能的电流切换。
截止电流:其最大集电极截止电流为1µA,说明了该晶体管在非导通状态下的绝缘特性,适用于精密的应用场景,在需要低漏电流的电路中表现尤为优越。
PDTA143ZT,215广泛应用于各种电子电路中,特别适用于一些需要高灵敏度和高增益的应用,如:
音频信号放大:适用于音频放大系统,能够有效放大弱小信号,提供更高的功率输出。
开关电路:在开关控制电路中,作为负载开关及信号放大器,能够在较小的输入信号下控制较大的负载。
传感器接口:可用于传感器输出信号的放大,处理微弱的传感器信号以提高系统的响应速度和灵敏度。
数字电路:与数字电路连接,作为驱动器级,允许用户实现快速开关操作,适用于计算机、通信、工业自动化等领域。
PDTA143ZT,215使用TO-236AB封装(SOT-23),适合表面贴装,便于集成到自动化生产线上的电路板中。其小型化的设计提高了模组的密度,适合于现代电子设备日益紧凑的设计需求。该器件的安装类型为SMD,容易与其它表面贴装组件搭配使用,减少了生产成本并缩短了生产周期。
PDTA143ZT,215数字晶体管是一款集高性能、低功耗和小尺寸于一体的半导体元件,适应了现代电子技术的发展需求。其性能优势和灵活应用场景,使它成为工程师在设计电路时的首选。无论是用于信号放大、开关控制,还是作为接口器件,PDTA143ZT,215都展现出了卓越的可靠性与高效能。对于需要满足相关电子应用的客户而言,选择PDTA143ZT,215能够带来更高的设计灵活性和产品性能。