RTU002P02T106参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4.5V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 输入电容(Ciss) | 50pF |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
RTU002P02T106手册
RTU002P02T106概述
产品概述:RTU002P02T106
RTU002P02T106 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,封装类型为表面贴装型 (SMD),采用 UMT-3 封装。该器件由知名品牌 ROHM(罗姆)制造,旨在为现代电子设备提供高调制能力和可靠性能。以下是对该产品的详细分析,包括其技术规格、应用场景以及优势。
技术规格
- 安装类型: 表面贴装型 (SMD),便于焊接到印刷电路板 (PCB) 上。
- 漏极电流 (Id): 最大 250mA,适合多数低功耗应用。
- 漏源电压 (Vdss): 工作电压高达 20V,满足多种电源管理需求。
- 导通电阻 (Rds On): 在 250mA 和 4.5V 时,最大导通电阻为 1.5 Ω,这在低功耗应用中尤为重要,有助于减少能量损耗。
- 驱动电压 (Vgs): 最小 Rds On 条件下,驱动电压为 4.5V,且最大 Vgs 浮动值为 ±12V,为器件提供了良好的灵活性。
- 输入电容 (Ciss): 在 10V 下最大值为 50pF,表明该 MOSFET 拥有较低的输入特性,有助于提高开关速度。
- 最大功率耗散: 可支持最大 200mW 的功率,这使其能够在相对较高的工作温度下稳定运行。
- 工作温度: 该器件的工作温度可以达到 150°C,使它在极端条件下仍能正常工作。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 2V(在 1mA 电流下),这对于开关控制至关重要。
应用场景
RTU002P02T106 MOSFET 适用于多种需要低功率开关和信号调制的应用,包括但不限于:
电源管理: 该器件可以用于电源开关,帮助控制电源的开启和关闭,广泛应用于手机、平板电脑以及便携式设备的电源管理。
负载开关: 在显示器、灯光控制系统和家用电器等设备中,RTU002P02T106 可以作为负载开关,以提供高效的开关控制。
信号调制: 由于输入电容较低,适合进行快速的信号调制和开关操作,因此在各种低频信号调制应用中表现优异。
汽车电子: 该 MOSFET 的高温特性使其非常适合于汽车应用,如电动窗控制、车灯控制等。
产品优势
- 高效能: 该 MOSFET 的低 Rds On 能显著减少功耗,提高设备整体能效。
- 高温耐受性: 能够在高达 150°C 的环境中稳定工作,适合于极端工作条件的应用。
- 紧凑封装: UMT-3 封装设计有效节省空间,适用于小型化电子设备。
- 可靠性: ROHM 的品牌保证了产品的高质量和长期稳定性,适合各种应用中的可靠性要求。
总结
RTU002P02T106 是一款综合性能出色的 P 通道 MOSFET,凭借其紧凑的 SMD 封装、高效的导通电阻和广泛的应用范围,成为低功耗电子设计中的理想替代品。不论是在便携式设备、电源管理还是高温环境下,该器件都能充分满足设计需求,为用户提供可靠、节能的解决方案。
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