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RUC002N05T116 产品实物图片
RUC002N05T116 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

RUC002N05T116

商品编码: BM0000282313
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SST3(SOT-23-3)
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 200mW 50V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
85654(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.751
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.751
--
200+
¥0.251
--
1500+
¥0.157
--
3000+
¥0.108
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

RUC002N05T116参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200mA(Ta)FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)25pF @ 10VVgs(最大值)±8V
工作温度150°C(TJ)漏源电压(Vdss)50V
功率耗散(最大值)200mW(Ta)不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA

RUC002N05T116手册

RUC002N05T116概述

RUC002N05T116 产品概述

概述

RUC002N05T116 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,专为各种低功耗电子应用设计。其采用表面贴装型(SMT)封装(SOT-23-3),具有出色的电流控制能力和优异的热稳定性,适合用于多种电源管理、开关电路和信号调理场合。该产品由知名半导体制造商 ROHM(罗姆) 提供,其质量和性能在业界得到了广泛认可。

主要特性

  • 类型: N 沟道 MOSFET
  • 最大漏极电流 (Id): 200 mA
  • 最大漏源电压 (Vdss): 50 V
  • 导通电阻 (Rds On): 2.2 欧姆 (在 4.5V 驱动下 @ 200mA)
  • 驱动电压范围: 1.2V 至 4.5V
  • 输入电容 (Ciss): 25 pF (在 10V 驱动下)
  • 最大功率耗散: 200 mW (在 25°C 环境温度下)
  • 最大工作温度: 150°C
  • 最大栅极源极电压 (Vgs): ±8 V

应用场景

RUC002N05T116 可广泛应用于便携式设备、电源管理、充电器、LED 驱动、电动机控制以及其他需要高效开关过程的电子系统。由于其出色的导通特性和低功耗表现,该 MOSFET 非常适合需要实现高效率和体积紧凑的应用。

  1. 电源管理: 在电源转换应用中,RUC002N05T116 能够帮助提高电源的效率,减少待机功耗,适合用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等。

  2. LED 驱动: 该 MOSFET 的低 Rds On 值有助于在 LED 驱动电路中减少功耗,提高光效。

  3. 开关电路: N 沟道 MOSFET 在高边和低边开关电路中表现出色,能够有效地控制负载的开启与关闭。

  4. 便携设备: 由于其小巧的 SOT-23 封装,RUC002N05T116 可用于空间受限的便携、移动设备中,使设计更为灵活。

性能优势

  • 低导通电阻: 2.2 欧姆的低导通电阻不仅优化了功率损耗,还增强了 MOSFET 在高频开关应用中的表现,使得其在开关速度上具备更高的效率。
  • 宽工作温度范围: 该MOSFET 能够在150°C的高温环境下稳定工作,适合于工业和高温条件下的设备。
  • 集成性强: SOT-23 封装设计使其在多层 PCB 设计中非常适用,能够有效节省空间。

技术规格

  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 1V @ 1mA,确保在较低的驱动电压下即可启动,提供良好的工作线性性和控制性。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 25pF @ 10V 的输入电容,使得该 MOSFET 在高频操作中展现出良好的响应能力。

结论

RUC002N05T116 N 沟道 MOSFET 是一款兼具高效率和高可靠性的电子元件,适合多种低功耗应用。ROHM(罗姆) 提供的这款 MOSFET 以其出色的性能和稳定的质量为众多电子应用提供了强有力的支持。通过其卓越的设计和技术特点,RUC002N05T116 不仅能满足现代电子设备对高效能的需求,还能在经济性和可持续发展方面为设计者提供更大的灵活性。