RUC002N05T116

RUC002N05T116 产品概述

概述

RUC002N05T116 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，专为各种低功耗电子应用设计。其采用表面贴装型(SMT)封装（SOT-23-3），具有出色的电流控制能力和优异的热稳定性，适合用于多种电源管理、开关电路和信号调理场合。该产品由知名半导体制造商 ROHM(罗姆) 提供，其质量和性能在业界得到了广泛认可。

主要特性

• 类型: N 沟道 MOSFET
• 最大漏极电流 (Id): 200 mA
• 最大漏源电压 (Vdss): 50 V
• 导通电阻 (Rds On): 2.2 欧姆 (在 4.5V 驱动下 @ 200mA)
• 驱动电压范围: 1.2V 至 4.5V
• 输入电容 (Ciss): 25 pF (在 10V 驱动下)
• 最大功率耗散: 200 mW (在 25°C 环境温度下)
• 最大工作温度: 150°C
• 最大栅极源极电压 (Vgs): ±8 V

应用场景

RUC002N05T116 可广泛应用于便携式设备、电源管理、充电器、LED 驱动、电动机控制以及其他需要高效开关过程的电子系统。由于其出色的导通特性和低功耗表现，该 MOSFET 非常适合需要实现高效率和体积紧凑的应用。

1. 电源管理: 在电源转换应用中，RUC002N05T116 能够帮助提高电源的效率，减少待机功耗，适合用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等。

2. LED 驱动: 该 MOSFET 的低 Rds On 值有助于在 LED 驱动电路中减少功耗，提高光效。

3. 开关电路: N 沟道 MOSFET 在高边和低边开关电路中表现出色，能够有效地控制负载的开启与关闭。

4. 便携设备: 由于其小巧的 SOT-23 封装，RUC002N05T116 可用于空间受限的便携、移动设备中，使设计更为灵活。

性能优势

• 低导通电阻: 2.2 欧姆的低导通电阻不仅优化了功率损耗，还增强了 MOSFET 在高频开关应用中的表现，使得其在开关速度上具备更高的效率。
• 宽工作温度范围: 该MOSFET 能够在150°C的高温环境下稳定工作，适合于工业和高温条件下的设备。
• 集成性强: SOT-23 封装设计使其在多层 PCB 设计中非常适用，能够有效节省空间。

技术规格

• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 1V @ 1mA，确保在较低的驱动电压下即可启动，提供良好的工作线性性和控制性。
• 输入电容 (Ciss): 最大值为 25pF @ 10V 的输入电容，使得该 MOSFET 在高频操作中展现出良好的响应能力。

结论

RUC002N05T116 N 沟道 MOSFET 是一款兼具高效率和高可靠性的电子元件，适合多种低功耗应用。ROHM(罗姆) 提供的这款 MOSFET 以其出色的性能和稳定的质量为众多电子应用提供了强有力的支持。通过其卓越的设计和技术特点，RUC002N05T116 不仅能满足现代电子设备对高效能的需求，还能在经济性和可持续发展方面为设计者提供更大的灵活性。