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SI2312BDS-T1-E3
- 商品编码： BM0000282352复制
- 品牌： VISHAY(威世)复制
- 封装： SOT-23复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.000035复制
- 描述： 场效应管(MOSFET) 750mW 20V 3.9A 1个N沟道复制
SI2312BDS-T1-E3参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@1.8V |
| 耗散功率(Pd) | 480mW |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道 |
SI2312BDS-T1-E3手册
SI2312BDS-T1-E3概述
SI2312BDS-T1-E3 产品概述
概述
SI2312BDS-T1-E3 是威世（VISHAY）公司生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计目标为低功耗、高效率的应用。在电子元器件中，MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及各种信号处理电路，因其低导通电阻与快速开关特性而受到青睐。SI2312BDS-T1-E3 的技术特性使其在高频和高电流应用中表现出色，满足现代电子产品日益增长的性能需求。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 最大承受电压为 20V，适合低电压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，最大连续漏极电流为 3.9A，提供良好的电流处理能力。
- 栅源极阈值电压: Vgs(th) 最小值为 850mV @ 250μA，确保在较低的栅电压下可以有效控制通断。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 5A 电流和 4.5V 的栅电压下，导通电阻仅为 31mΩ，符合低功耗要求。
- 最大功率耗散: 在环境温度为 25°C 时，最大功率耗散达到 750mW，适应多种工作环境。
电气特性
该 MOSFET 在不同行为模式下表现稳定。它最大承受的栅电压为 ±8V，保证了在操作过程中对栅极的安全性。此外，在 4.5V 的栅驱动电压下，栅极电荷（Qg）为 12nC，这使得开关速度较快，适合高频应用。在设计电路时，开发者可以利用其较低的导通电阻和功率耗散特性有效降低整体系统的能量损耗。
应用场景
SI2312BDS-T1-E3 的低电压和高电流特性使其成为以下应用的理想选择：
- 开关电源: 在交流到直流转换器中工作的电源模块。
- 电机驱动: 用于直流电机驱动电路中，提供快速开关和高效能。
- 负载开关: 在低功耗应用中作为负载开关，可控制负载的接通与断开。
- 信号放大: 在信号处理电路中可用于信号的放大与开关功能。
封装与安装
SI2312BDS-T1-E3 采用 SOT-23-3（TO-236）表面贴装封装，体积小巧，便于集成于各类早期电子产品设计中。其优良的热散性能和空间利用率使得该器件适用于紧凑型电路板设计，为现代电子产品提供了更多的灵活性。
工作温度范围
该 MOSFET 工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，能够在极端环境条件下保持良好性能，适合需要高可靠性的应用场景，如汽车电子和军事设备等。
总结
总的来说，SI2312BDS-T1-E3 是一款出色的N 沟道 MOSFET，具备高效能、低功耗和多用途的特点，能够满足现代电子应用中对高效电源管理与信号处理的需求。威世（VISHAY）致力于提供高品质的半导体解决方案，SI2312BDS-T1-E3 是其产品系列中的一个重要选择，适用于各类小型电子产品、开关电源以及电机控制等专项应用。