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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册
DMG1012UW-7
商品编码: BM0000282662
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
表面贴装型-N-通道-20V-1A(Ta)-290mW(Ta)-SOT-323
库存 :
29460(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.653
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.653
--
200+
¥0.218
--
1500+
¥0.136
--
产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)1A
栅源极阈值电压1V @ 250uA漏源导通电阻450mΩ @ 600mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)290mW类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)450 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值).74nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±6V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)60.67pF @ 16V
FET 功能-功率耗散(最大值)290mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-323封装/外壳SC-70,SOT-323
产品手册
常见问题

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