DMN6140L-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 700mW 60V 1.6A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
7268(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.463按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.463
--
200+
￥0.299
--
1500+
￥0.26
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3000+
￥0.231
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN6140L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.6A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 140mΩ @ 1.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 700mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 140 毫欧 @ 1.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.6nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 315pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN6140L-7手册
DMN6140L-7概述
产品概述：DMN6140L-7 N沟道MOSFET
DMN6140L-7是一款高性能的N沟道MOSFET，专为各种电子应用而设计，具有卓越的电气性能和耐环境能力。该器件的主要技术参数如下：最大漏源电压为60V，连续漏极电流能够达到1.6A（在25°C环境下），漏源导通电阻（Rds(on)）为140mΩ（在1.8A和10V的驱动电压条件下）。这些特点使得DMN6140L-7在开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合中具备出色的性能。
关键特性
电气特性：
- 漏源电压（Vdss）：60V，适合大多数低压和中等电压电源管理应用。
- 连续漏极电流（Id）：1.6A，确保在多种操作条件下的可靠性。
- 导通电阻（Rds(on)）：140mΩ @ 1.8A, 10V，降低了功耗，提高了系统效率。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA，便于在低压应用中驱动，提升逻辑电平兼容性。
热管理：
- 最大功率耗散：700mW，能够处理较高的功率负载，对于多种温度条件下的高效工作至关重要。
- 工作温度范围：-55°C至150°C，拥有极佳的热稳定性和适用性，实现了在苛刻环境中的广泛应用。
封装与安装：
- 封装类型：SOT-23，表面贴装设计，适合现代电子设备的紧凑布局，易于自动化焊接和安装。
- 封装外壳：TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供多样的选择以适应不同的PCB设计需求。
电荷特性：
- 栅极电荷（Qg）：8.6nC @ 10V，低栅极电荷有助于提高开关频率和降低驱动功耗，适合高效的开关操作。
输入电容：
- 输入电容（Ciss）：最大值315pF @ 40V，低输入电容针对高频应用提供了良好的性能。
应用领域
DMN6140L-7广泛应用于以下领域：
- 开关电源与DC-DC转换器：凭借其高效的导通特性，有效提高电源转换效率，优化功耗管理。
- 电机驱动：在电机控制电路中用作开关元件，提供高效、平稳的驱动能力。
- LED驱动电路：控制LED驱动电流，确保亮度可调和功耗可控。
- 信号开关：在低功率信号开关应用中，可靠的开关特性提供了良好的信号完整性。
结论
作为DIODES(美台)的一款卓越产品，DMN6140L-7 N沟道MOSFET以其高性能的电气特性、优越的热管理能力和便捷的封装形式，为现代电子设计提供了可靠的解决方案。无论是用于电源管理、驱动控制，还是其他领域，DMN6140L-7都能满足设计师的高要求，成为他们的首选器件之一。通过这个MOSFET，设计师可以轻松实现高效、稳定的电子产品，推动技术的进一步发展。