IRF730PBF
IRF730PBF参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V,3.3A |
| 功率(Pd) | 74W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 700pF |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 64pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF730PBF手册
IRF730PBF概述
IRF730PBF 产品概述
一、基本信息
IRF730PBF 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，集成了先进的金属氧化物半导体技术，广泛应用于现代电子设备中。其主要规格包括漏源电压 (Vdss) 为 400V，最大连续漏极电流 (Id) 为 5.5A，以及最小栅源驱动电压 (Vgs) 可达 10V。这款 MOSFET 由知名品牌 VISHAY（威世）生产，具有极高的可靠性和出色的性能，非常适合在各种高压和高频应用中使用。
二、技术参数
漏源电压 (Vdss): IRF730PBF 可耐受高达 400V 的漏源电压，适用于高电压操作环境，确保在高压应用中的稳定性和安全性。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，IRF730PBF 具备 5.5A 的连续工作能力，这使得它能够适应多种负载条件。
导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压下，IRF730PBF 的最大导通电阻为 1 欧姆，这意味着它在导通状态下的功耗较低，有助于提升系统效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 电流条件下，栅极阈值电压的最大值为 4V，这说明该MOSFET更易于受到控制，便于与其他电路配合。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 38nC（在10V 的栅源电压下），有助于降低开关损耗，适合快速开关应用，特别是在 RF 设备和逆变器中。
输入电容 (Ciss): 在 25V 时，输入电容最大值为 700pF，较低的输入电容减少开关延迟，能够更快速地响应控制信号。
工作温度范围: IRF730PBF 的工作温度可在 -55°C 至 150°C 之间，适合在极端温度环境下工作，展现出良好的环境适应性。
封装类型: 该 MOSFET 采用通孔封装 (TO-220AB)，便于散热和电路板安装。
三、应用领域
由于 IRF730PBF 的高压、高效能特点，它广泛应用于以下领域：
电源管理: 在开关电源（SMPS）、DC至DC转换器中，IRF730PBF 可作为开关元件，帮助实现高效的能源转换。
电机驱动: 此 MOSFET 常用于电机控制器中，通过实现高频开关以优化电机性能，提升效率。
逆变器: 在太阳能逆变器和电动车驱动系统中，IRF730PBF 可以提供稳定的电流控制和高效能，确保系统的可靠性。
电池管理系统: 该 MOSFET 可以在电池充电和放电过程中的开关电路中扮演重要角色，提升电池的使用效率和寿命。
四、总结
IRF730PBF 是一款性能优良的 N 沟道 MOSFET，具备高耐压和高电流处理能力，其低导通电阻、迅速的开关特性以及广泛的工作温度范围使其成为多种高效能应用的理想选择。VISHAY的这个产品以其高可靠性和出色的电气性能在电子行业得到了广泛认可和应用。无论是在电源管理、电机控制还是逆变器等领域，IRF730PBF 都显示出它在现代电力电子设计中的重要性和多样性。