漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 1.4A |
栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 132mΩ @ 1.4A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 400mW | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 132 毫欧 @ 1.4A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 4.1nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 105pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 400mW(Ta),500mW(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
SI1308EDL-T1-GE3 是由 VISHAY(威世)公司生产的一款 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),专为低功耗和高效能应用而设计。它的额定漏源电压(Vdss)为 30V,连续漏极电流(Id)在室温(25°C)下可达到 1.4A。这款MOSFET以其低导通电阻和广泛的工作温度范围而受到青睐,适合用于各种电子电路中,如开关电源、马达驱动和电源管理等领域。
SI1308EDL-T1-GE3 采用 SOT-323 封装,具有紧凑的尺寸,方便在狭小的空间内进行表面贴装。此种封装类型适合高密度电路板设计,能够满足现代电子设备对体积和重量的严格要求。
由于其优良的电气性能和可靠性,SI1308EDL-T1-GE3 广泛应用于:
考虑到其优异的性能、可靠性及多种应用场景,SI1308EDL-T1-GE3 是一款理想选择,尤其适用于需要调节电源、低泄漏和高开关频率的电子设备。凭借威世公司的品牌和质量保证,该 MOSFET 为设计工程师提供了一个可靠和高效的解决方案,能够满足现代电子产品日益增长的性能要求。