SI1308EDL-T1-GE3

SI1308EDL-T1-GE3 产品概述

产品简介

SI1308EDL-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为低功耗和高效能应用而设计。它的额定漏源电压（Vdss）为 30V，连续漏极电流（Id）在室温（25°C）下可达到 1.4A。这款MOSFET以其低导通电阻和广泛的工作温度范围而受到青睐，适合用于各种电子电路中，如开关电源、马达驱动和电源管理等领域。

关键参数

• 漏源电压（Vdss）: 30V。该电压值使其适合于大多数低压应用。
• 连续漏极电流（Id）: 1.4A @ 25°C。表明在正常工作环境下可承受的最大电流。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.5V @ 250µA。显示了 MOSFET 在启动时所需的最低栅极电压。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 132mΩ @ 1.4A, 10V。在高电流条件下，低导通电阻有助于减少热量产生，提高效率。
• 最大功率耗散: 400mW（Ta=25°C），500mW（Tc）。说明了该器件在不同环境温度下的功率处理能力。
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C，适合高温和极端环境应用。

设备封装与安装

SI1308EDL-T1-GE3 采用 SOT-323 封装，具有紧凑的尺寸，方便在狭小的空间内进行表面贴装。此种封装类型适合高密度电路板设计，能够满足现代电子设备对体积和重量的严格要求。

性能优势

1. 高效性: 低 Rds(on) 和对电源电压的良好承受能力，极大地提高了电路的能效，减少了功耗并降低了发热，从而提高了整体性能。
2. 宽工作温度范围: 适用于航空航天、汽车、医疗和工业等领域，满足了各类应用的温度要求。
3. 快速开关能力: 具有较低的栅极电荷（Qg=4.1nC @ 10V），使其在高频应用中表现出色，可以快速开关，有效提升电路响应时间。
4. 可靠性: VISHAY 作为知名的电子元器件制造商，提供的产品质量和稳定性有保障，使得 SI1308EDL-T1-GE3 在各种应用场景下都能保持优良性能。

应用场景

由于其优良的电气性能和可靠性，SI1308EDL-T1-GE3 广泛应用于：

• 开关电源: 用于各种小型电源转换器，例如 AC-DC 和 DC-DC 变换器。
• 电机驱动: 作为 MOSFET 驱动电路中的开关元器件，控制电动车或微型电机的运行。
• 电源管理: 适用于电池管理系统和其他功耗监测和控制设备中，帮助降低功耗和延长设备寿命。
• 消费类电子产品: 在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，帮助提升能源效率。

结论

考虑到其优异的性能、可靠性及多种应用场景，SI1308EDL-T1-GE3 是一款理想选择，尤其适用于需要调节电源、低泄漏和高开关频率的电子设备。凭借威世公司的品牌和质量保证，该 MOSFET 为设计工程师提供了一个可靠和高效的解决方案，能够满足现代电子产品日益增长的性能要求。