SI4936CDY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.245g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.3W 30V 5.8A 2个N沟道 SOIC-8
库存 :
11029(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
1.79按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.79
--
100+
￥1.38
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1250+
￥1.2
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4936CDY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.8A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 40mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.3W | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 325pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 2.3W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4936CDY-T1-GE3手册
SI4936CDY-T1-GE3概述
产品概述：SI4936CDY-T1-GE3
一、简介
SI4936CDY-T1-GE3 是由威世（VISHAY）推出的一款双N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其在低电压和低功耗应用中的表现尤为出色。该器件采用8-SO（表面贴装型）封装，具有良好的散热性能，适合在各种电子设备中使用，尤其是在需要高效能和较小尺寸的空间中，能够有效地提升电路的整体性能。
二、基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id，25°C时）: 5.8A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 40mΩ @ 5A, 10V
- 最大功率耗散: 2.3W @ Ta = 25°C
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
三、特性与优势
高效能: SI4936CDY-T1-GE3 的漏源电压最高可达到30V，并可承受连续漏极电流5.8A，这使得其能够在多种电源管理和负载控制应用中表现优异。
低导通电阻: 该器件的漏源导通电阻为40毫欧，对于需要高电流传输的应用场景，可以大大减小功率损耗，提升能效，从而降低系统发热。
逻辑电平门: SI4936CDY-T1-GE3 被设计为逻辑电平驱动的MOSFET，栅源阈值电压仅为3V，这使其能够方便地与低电压驱动的逻辑电路直接相连，简化了设计过程。
宽广的工作温度范围: 它支持-55°C到150°C的工作温度，确保在极端环境下的可靠性特别适合于汽车电子、工业控制等领域。
小型封装与高集成度: SOIC-8封装使其占用空间小，适用于多种紧凑型设计，尤其是在空间有限的应用环境中。
四、应用场景
由于其优秀的电气特性和小型封装，SI4936CDY-T1-GE3 被广泛应用于多种电子设备，包括但不限于：
- 电源管理: 适用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理模块，能够高效控制能量分配。
- 马达控制: 广泛应用于电动马达驱动电路中，用于精确控制输出功率和实现高速切换。
- LED驱动: 在LED灯条和显示屏中，用作开关以控制光源的亮度和切换状态。
- 电动车/混合动力车: 适合在电池管理系统和电动机驱动中使用，由于其高密度、高热稳定性，极大程度提高系统的能效。
五、总结
SI4936CDY-T1-GE3 是一款高性能的双N沟道MOSFET，其出色的电气特性和小型化设计使其成为多种电子应用的理想选择。从电源管理到马达控制再到LED驱动，皆体现了其广泛的适用性及强大的性能。凭借威世的品牌信誉和优质制造工艺，该器件无疑是设计师在寻找高效率、低功耗解决方案时的可靠选择。