漏源电压(Vdss) | 800V | 栅源极阈值电压 | 5V @ 100uA |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 12A(Tc) | 漏源导通电阻 | 450mΩ @ 6A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 35W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 450 毫欧 @ 6A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 29nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 870pF @ 100V | 功率耗散(最大值) | 35W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF13N80K5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能N沟道MOSFET(场效应管)。凭借其卓越的电气性能和可靠性,该产品广泛应用于开关电源、伺服电机驱动和高电压电源转换电路等领域,特别是在需要高功率和高效率的应用中表现优异。
漏源电压(Vdss):该MOSFET的漏源电压高达800V,使其在高电压环境中稳定工作,适合应用在高压的电源电路中。
连续漏极电流(Id):在25°C的环境温度下,漏极电流可达到12A(Tc),这意味着在适当的散热条件下,设备能够可靠地承载高电流负载。
导通电阻(Rds(on)):470 mΩ @6A, 10V的漏源导通电阻非常低,意味着在导通状态下,MOSFET的功耗会较低,从而提高整体电路的效率,减少热损耗。
阈值电压(Vgs(th)):在100µA的测试条件下,其栅源极阈值电压为5V,有利于驱动电路的高效控制和应用。
功率耗散:最大功率耗散为35W(在Tc条件下),为工程师提供了足够的热管理余量,保证了MOSFET在严苛工作环境中的可靠性。
工作温度范围:该MOSFET工作温度范围从-55°C至150°C,具有极好的热稳定性,满足各种工业和汽车应用的需求。
安装类型与封装:STF13N80K5采用TO-220FP封装,支持通孔安装,便于散热,适合各种电路板的设计与集成。
STF13N80K5广泛应用于以下领域:
开关电源:由于其高耐压和低导通电阻,常用于AC/DC和DC/DC电源转换器中,帮助提高系统的效率。
电机驱动:在工业电机和伺服系统中,STF13N80K5能够有效地驱动电动机,控制电源的切换和调节。
电力电子:在高压电子设备中,该MOSFET可用于逆变器和整流电路,确保稳定电力输出。
汽车应用:STF13N80K5凭借其高温耐受性,适合用于汽车电子系统中,如电动助力转向和电池管理系统。
综合来看,STF13N80K5是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,具有800V的漏源电压、12A的连续漏极电流和35W的功率耗散能力,适合多种高压应用场合。其低导通电阻特性能够显著降低功耗,使其成为开关电源、驱动电机及其他电力电子设备的理想选择。由于其宽广的工作温度范围及优秀的热管理能力,STF13N80K5不但能满足严苛环境的需求,还能在激烈的市场竞争中展现不俗的性能表现。设计师和工程师在进行相关设计时,可以充分考虑STF13N80K5作为其电路中关键元件的选用。