STF13N80K5
STF13N80K5参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 栅源极阈值电压 | 5V @ 100uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A(Tc) | 漏源导通电阻 | 450mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 870pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF13N80K5手册
STF13N80K5概述
STF13N80K5 产品概述
一、产品背景
STF13N80K5 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道MOSFET（场效应管）。凭借其卓越的电气性能和可靠性，该产品广泛应用于开关电源、伺服电机驱动和高电压电源转换电路等领域，特别是在需要高功率和高效率的应用中表现优异。
二、主要特性
漏源电压（Vdss）：该MOSFET的漏源电压高达800V，使其在高电压环境中稳定工作，适合应用在高压的电源电路中。
连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，漏极电流可达到12A（Tc），这意味着在适当的散热条件下，设备能够可靠地承载高电流负载。
导通电阻（Rds(on)）：470 mΩ @6A, 10V的漏源导通电阻非常低，意味着在导通状态下，MOSFET的功耗会较低，从而提高整体电路的效率，减少热损耗。
阈值电压（Vgs(th)）：在100µA的测试条件下，其栅源极阈值电压为5V，有利于驱动电路的高效控制和应用。
功率耗散：最大功率耗散为35W（在Tc条件下），为工程师提供了足够的热管理余量，保证了MOSFET在严苛工作环境中的可靠性。
工作温度范围：该MOSFET工作温度范围从-55°C至150°C，具有极好的热稳定性，满足各种工业和汽车应用的需求。
安装类型与封装：STF13N80K5采用TO-220FP封装，支持通孔安装，便于散热，适合各种电路板的设计与集成。
三、应用场景
STF13N80K5广泛应用于以下领域：
开关电源：由于其高耐压和低导通电阻，常用于AC/DC和DC/DC电源转换器中，帮助提高系统的效率。
电机驱动：在工业电机和伺服系统中，STF13N80K5能够有效地驱动电动机，控制电源的切换和调节。
电力电子：在高压电子设备中，该MOSFET可用于逆变器和整流电路，确保稳定电力输出。
汽车应用：STF13N80K5凭借其高温耐受性，适合用于汽车电子系统中，如电动助力转向和电池管理系统。
四、总结
综合来看，STF13N80K5是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，具有800V的漏源电压、12A的连续漏极电流和35W的功率耗散能力，适合多种高压应用场合。其低导通电阻特性能够显著降低功耗，使其成为开关电源、驱动电机及其他电力电子设备的理想选择。由于其宽广的工作温度范围及优秀的热管理能力，STF13N80K5不但能满足严苛环境的需求，还能在激烈的市场竞争中展现不俗的性能表现。设计师和工程师在进行相关设计时，可以充分考虑STF13N80K5作为其电路中关键元件的选用。