类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 80A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,40A |
功率(Pd) | 300W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 182nC@50V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.5nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 175pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品名称: STB80NF10T4
类型: N沟道MOSFET
封装类型: D2PAK(TO-263-3)
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
STB80NF10T4是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),其主要参数如下:
高电流承载能力: STB80NF10T4能够承载高达80A的连续漏极电流,使其在高功率应用中非常可靠。其低的导通电阻(15mΩ)确保了能有效地减少功耗,从而提高系统的能效。
宽工作温度范围: 该器件的工作温度高达175°C,适用于各类苛刻环境。这使得STB80NF10T4非常适合在汽车电子、高功率开关电源、电机驱动、LED驱动等应用中使用。
高功率处理能力: 最高可承载300W的功率,表明该器件能够处理高负载应用中的瞬时功率需求,增加了运行的安全性和稳定性。
优秀的开关性能: 由于较低的栅极电荷和输入电容,STB80NF10T4具有很快的开关速度,使其在高频率开关应用中表现出色,减少了开关损耗。
便捷的设计适应性: D2PAK封装的设计不仅有助于有效散热,也为设计师提供了良好的接线灵活性。由于其紧凑型的特性,适用于各种电路板设计,特别是在空间受限的应用场合。
STB80NF10T4因其卓越的电气性能适合各种应用领域,包括但不限于:
STB80NF10T4是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,凭借其出色的性能参数和广泛的应用适应性,成为工程师和设计师们在高功率、快开关速度和高温环境下的理想选择。无论用于传统开关电源,还是在特殊应用如汽车电子及电机控制中,STB80NF10T4都能满足现代电力电子设计的需求,体现了意法半导体在高端电子元器件领域的领先地位。