STB80NF10T4

STB80NF10T4 产品概述

产品名称: STB80NF10T4
类型: N沟道MOSFET
封装类型: D2PAK（TO-263-3）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)

一、基本参数

STB80NF10T4是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其主要参数如下：

• 漏源电压 (Vdss): 100V
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V（在250µA流过时）
• 连续漏极电流 (Id): 80A（在25°C时，Tc=25°C）
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 15mΩ（在40A、10V条件下）
• 最大功率耗散: 300W（在Tc条件下）
• 工作温度范围: -55°C至175°C
• 栅极驱动电压 (最大 Rds On，最小 Rds On): 10V
• 栅极电荷 (Qg): 182nC（在10V的条件下）
• 最大Vgs: ±20V
• 输入电容 (Ciss): 5500pF（在25V条件下）

二、性能特点

1. 高电流承载能力: STB80NF10T4能够承载高达80A的连续漏极电流，使其在高功率应用中非常可靠。其低的导通电阻（15mΩ）确保了能有效地减少功耗，从而提高系统的能效。

2. 宽工作温度范围: 该器件的工作温度高达175°C，适用于各类苛刻环境。这使得STB80NF10T4非常适合在汽车电子、高功率开关电源、电机驱动、LED驱动等应用中使用。

3. 高功率处理能力: 最高可承载300W的功率，表明该器件能够处理高负载应用中的瞬时功率需求，增加了运行的安全性和稳定性。

4. 优秀的开关性能: 由于较低的栅极电荷和输入电容，STB80NF10T4具有很快的开关速度，使其在高频率开关应用中表现出色，减少了开关损耗。

5. 便捷的设计适应性: D2PAK封装的设计不仅有助于有效散热，也为设计师提供了良好的接线灵活性。由于其紧凑型的特性，适用于各种电路板设计，特别是在空间受限的应用场合。

三、应用范围

STB80NF10T4因其卓越的电气性能适合各种应用领域，包括但不限于：

• 开关电源: 用于高效的功率转换。
• 电机驱动: 在工业控制以及电动车辆中用作电机驱动开关，提供高效控制。
• LED驱动电路: 在灯光控制和调光系统中能够高效地驱动LED。
• 电源管理: 适合用于DC-DC转换器和电源管理IC中的功率开关，帮助实现较低的损耗和较高的效率。

四、总结

STB80NF10T4是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，凭借其出色的性能参数和广泛的应用适应性，成为工程师和设计师们在高功率、快开关速度和高温环境下的理想选择。无论用于传统开关电源，还是在特殊应用如汽车电子及电机控制中，STB80NF10T4都能满足现代电力电子设计的需求，体现了意法半导体在高端电子元器件领域的领先地位。