集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 500mV@100uA,5V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
输入电阻 | 10kΩ | 电阻比率 | 1 |
工作温度 | -40℃~+150℃ |
UMH11NTN 是 ROHM(罗姆)推出的一款双 NPN 数字晶体管,其设计旨在提供可靠的性能和高效的电流控制,广泛应用于各种数字电路和切换应用中。其采用先进的半导体技术,结合优化的电路设计,使其在多种环境条件下都能表现出色。
UMH11NTN 的封装类型为 UMT6,符合通过表面贴装(SMT)工艺实现高效集成的趋势。这种封装形式不仅减小了电路板的占用面积,也提升了设备的整体性能,适合现代电子产品对功能密度和小型化的需求。产品的封装尺寸紧凑,使其在复杂电路中也能轻松应用,尤其是在智能手机、便携式设备和消费电子中。
电压与电流处理能力
UMH11NTN 的集射极击穿电压(Vce)最大可达 50V,意味着其能够在高电压条件下工作,适用于多种电源管理和信号调节场合。此外,集电极电流(Ic)的最大值为 100mA,确保能够控制较大的负载,适合驱动多种外部器件。
电流增益
此器件的直流电流增益(hFE)在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)下表现稳定,最低可达 30,通常在 5mA 和 5V 的工作条件下测得。这使得 UMH11NTN 在小信号放大应用中也能保持良好的性能。
功率及功率耗散
该产品的最大功率耗散为 150mW,足以满足一般电子电路的需求,同时在设计时也需要考虑适当的散热措施,以防止工作时温度过高而影响器件性能。
饱和与截止特性
UMH11NTN 的 Vce 饱和压降在 500µA 和 10mA 时最大为 300mV,显示出其在饱和状态下良好的开关性能。同时,当器件处于截止状态时,集电极电流最大为 500nA,具有出色的关断特性,适合高效低功耗的电路设计。
频率性能
此外,UMH11NTN 拥有高达 250MHz 的跃迁频率,适合快速开关及频率响应要求高的应用。这样的性能使其在音频放大器、射频(RF)应用及其他需要快速动态响应的场合中表现出色。
UMH11NTN 适用于多种电子应用,如:
UMH11NTN 作为一款高性能双 NPN 数字晶体管,凭借其优秀的电气特性、便捷的封装形式和可靠的工作稳定性,成为工程师设计电路时的优选组件。无论是在消费电子、工业控制、还是通信设备领域,该元件均能为设计带来价值和可靠的解决方案。ROHM 的专业技术和严格的品质控制,使得 UMH11NTN 在市场中具有竞争优势,成为众多设计师青睐的品牌和型号。