UMH11NTN
UMH11NTN参数
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 晶体管类型 | 2个NPN预偏压式（双） |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V | 集电极电流Ic（最大值） | 100mA |
| 电流放大倍数hFE（最小值） | 30@5mA，5V | 功率（最大值） | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | UMT6 |
UMH11NTN手册
UMH11NTN概述
UMH11NTN 产品概述
UMH11NTN 是 ROHM（罗姆）推出的一款双 NPN 数字晶体管，其设计旨在提供可靠的性能和高效的电流控制，广泛应用于各种数字电路和切换应用中。其采用先进的半导体技术，结合优化的电路设计，使其在多种环境条件下都能表现出色。
基本特性
UMH11NTN 的封装类型为 UMT6，符合通过表面贴装（SMT）工艺实现高效集成的趋势。这种封装形式不仅减小了电路板的占用面积，也提升了设备的整体性能，适合现代电子产品对功能密度和小型化的需求。产品的封装尺寸紧凑，使其在复杂电路中也能轻松应用，尤其是在智能手机、便携式设备和消费电子中。
电子性能
电压与电流处理能力
UMH11NTN 的集射极击穿电压（Vce）最大可达 50V，意味着其能够在高电压条件下工作，适用于多种电源管理和信号调节场合。此外，集电极电流（Ic）的最大值为 100mA，确保能够控制较大的负载，适合驱动多种外部器件。电流增益
此器件的直流电流增益（hFE）在不同的集电极电流（Ic）和基极电流（Ib）下表现稳定，最低可达 30，通常在 5mA 和 5V 的工作条件下测得。这使得 UMH11NTN 在小信号放大应用中也能保持良好的性能。功率及功率耗散
该产品的最大功率耗散为 150mW，足以满足一般电子电路的需求，同时在设计时也需要考虑适当的散热措施，以防止工作时温度过高而影响器件性能。饱和与截止特性
UMH11NTN 的 Vce 饱和压降在 500µA 和 10mA 时最大为 300mV，显示出其在饱和状态下良好的开关性能。同时，当器件处于截止状态时，集电极电流最大为 500nA，具有出色的关断特性，适合高效低功耗的电路设计。频率性能
此外，UMH11NTN 拥有高达 250MHz 的跃迁频率，适合快速开关及频率响应要求高的应用。这样的性能使其在音频放大器、射频（RF）应用及其他需要快速动态响应的场合中表现出色。
应用领域
UMH11NTN 适用于多种电子应用，如：
- 开关电路：在各种数字电路中，为信号的控制与切换提供支持。
- 小信号放大：可用于传感器信号放大、调制解调器等设备。
- 电源管理：在电源开关、稳压器及其他功率转换设备中获得广泛应用。
- 便携式设备：由于其小巧的封装和高效的电流管理，极其适合用于移动电话、平板电脑及便携式游戏机等设备中。
结论
UMH11NTN 作为一款高性能双 NPN 数字晶体管，凭借其优秀的电气特性、便捷的封装形式和可靠的工作稳定性，成为工程师设计电路时的优选组件。无论是在消费电子、工业控制、还是通信设备领域，该元件均能为设计带来价值和可靠的解决方案。ROHM 的专业技术和严格的品质控制，使得 UMH11NTN 在市场中具有竞争优势，成为众多设计师青睐的品牌和型号。