STP4NK80ZFP
STP4NK80ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 3.5Ω @ 1.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 575pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP4NK80ZFP手册
STP4NK80ZFP概述
STP4NK80ZFP 产品概述
STP4NK80ZFP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道MOSFET，专为高压和高功率应用设计。该器件的主要参数包括漏源电压（Vdss）为800V，连续漏极电流（Id）在25°C环境下可达到3A，最大功率耗散为25W，使其在各种电力电子设备和高电压电路中具备广泛的应用潜力。
主要参数
漏源电压(Vdss): 该器件最大漏源电压为800V，意味着它能够处理相对高压的应用。这使得STP4NK80ZFP非常适合用于高压功率转换器、逆变器和其他需要高电压控制的系统。
连续漏极电流(Id): 在25°C的环境温度下，器件允许的连续漏极电流为3A。这一性能使STP4NK80ZFP在功率放大和电力管理应用中表现优秀。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 器件的栅源极阈值电压为4.5V @ 50µA，显示其相对较低的开启电压。这一特性有利于与微控制器或其他低电压驱动电路直接接合，简化了驱动电路的设计。
导通电阻(Rds(on)): 在1.5A电流和10V驱动电压下，STP4NK80ZFP的漏源导通电阻达到了3.5Ω。这一指标对于减少功耗和提高效率至关重要，尤其在开关电源和电机驱动应用中，导通电阻直接关系到电路的热管理和整体效能。
最大功率耗散: 器件的功率耗散上限为25W，允许在适当的热管理条件下进行高效运行。该特性使得STP4NK80ZFP适用于需要在瞬态条件下处理高功率负载的应用。
工作温度范围: STP4NK80ZFP的工作温度范围为-55°C至150°C，这一宽广的温度适应性使其在恶劣的环境条件下仍能够持续稳定地工作，满足工业和汽车应用的严格要求。
封装和安装类型: STP4NK80ZFP采用TO-220FP封装，适合通孔安装，便于散热。在空间有限的设计中可灵活应用，提升了布局的多样性。
栅极电荷(Qg): 该器件在10V栅电压下的栅极电荷为22.5nC，体现了较低的驱动能耗。这一特性有利于提高开关速度，尤其在高频操作条件下，降低了驱动电路的功耗，并在高开关频率应用中实现更好的性能。
输入电容(Ciss): 器件在25V电压下的输入电容为575pF，这为高频率操作提供了良好的能力，同时降低了开关损耗。
应用场景
STP4NK80ZFP具有多种应用领域。由于其高电压和高功率能力，广泛应用于开关电源、H桥电机驱动、DC-DC转换器、光伏逆变器以及电力电缆保护等高电压场景。此外，由于其优异的热性能和宽广的工作温度范围，STP4NK80ZFP也适合汽车电子和工业控制等严苛环境中的应用。
总结
综合来看，STP4NK80ZFP是一款高效、稳定和可靠的N沟道MOSFET，凭借其800V的漏源电压和3A的连续漏极电流，能够满足高性能电力电子设备的需求。其低导通电阻、宽广的工作温度范围和出色的热管理特性，使其在各种工业、商业及汽车应用中都是理想的选择。无论是用于开关电源还是电机控制，STP4NK80ZFP都表现出色，是设计工程师们在电力电子项目中的重要组件。