STU7NM60N

产品概述：STU7NM60N N沟道MOSFET

引言 STU7NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。其具备优良的电气特性和适应性，广泛应用于各种高压和高功率的电子电路中。

基本参数 STU7NM60N封装为TO-251-3（IPAK），是一种短引线设计，适合于通孔焊接（THT）的安装方式。这种封装形式不仅确保了良好的散热性能，还有助于在狭小空间内的应用。该MOSFET的漏源极电压（Vdss）高达600V，意味着它能够处理高压应用无忧。此外，它的最大连续漏极电流（Id）为5A（在结温Tc下），使其能够在多个应用场景中高效工作。

电气特性 STU7NM60N的电气特性使其在各种工作条件下均表现出色。其最大栅源电压（Vgss）为±25V，允许更高的驱动电压，从而实现更好的开关性能。根据各种工作条件，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）在10V的驱动电压下，最大值为900毫欧（在2.5A时），确保了在导通状态下的低功耗损耗。

另外，STU7NM60N的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为4V（在250µA下），确保其在0-4V的栅电压下保持关断状态，防止误触发。同时，其在10V的驱动电压下的栅电荷（Qg）为14nC，有助于快速切换，提高整体功率转换效率。

频率和电容特性 在更高频率应用中，STU7NM60N的输入电容（Ciss）在50V时最大值为363pF。这使其在高速开关过程中减少了开关延迟，优化了整体开关频率性能，适合于高频应用场景。

功耗和热特性 该MOSFET的最大功率耗散为45W（在Tc环境温度下），使其在相对高温下保持稳定，适合高功率电子设备和电源管理应用。其工作温度范围高达150°C（TJ），这为其在严苛环境下的应用提供了可靠保证。

应用场景 STU7NM60N MOSFET被推荐用于多个电子电路应用，包括但不限于：

• AC-DC转换器
• DC-DC转换器
• 电机驱动
• 开关电源
• 逆变器
• 充电器
• LED驱动器
• 其他功率管理应用

由于其高压、高功率和良好的效率，STU7NM60N非常适合现代电源设计方案中需要可靠性的关键组件。

总结 总之，STU7NM60N是一款非常出色的N沟道MOSFET，具备高漏源电压、良好的电流承载能力和极佳的导通性能，适用于多种高功率和高压应用。其可靠性和灵活性使其在电子元器件市场中占据重要地位，是设计工程师们在选择高效电源管理解决方案时理想的选择。无论是在工业领域还是消费电子，STU7NM60N始终能够提供卓越的性能与效率，助力创新与发展。