STU7NM60N
STU7NM60N参数
| 封装/外壳 | TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±25V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 900 毫欧 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 363pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I-PAK | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
STU7NM60N手册
STU7NM60N概述
产品概述：STU7NM60N N沟道MOSFET
引言 STU7NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。其具备优良的电气特性和适应性，广泛应用于各种高压和高功率的电子电路中。
基本参数 STU7NM60N封装为TO-251-3（IPAK），是一种短引线设计，适合于通孔焊接（THT）的安装方式。这种封装形式不仅确保了良好的散热性能，还有助于在狭小空间内的应用。该MOSFET的漏源极电压（Vdss）高达600V，意味着它能够处理高压应用无忧。此外，它的最大连续漏极电流（Id）为5A（在结温Tc下），使其能够在多个应用场景中高效工作。
电气特性 STU7NM60N的电气特性使其在各种工作条件下均表现出色。其最大栅源电压（Vgss）为±25V，允许更高的驱动电压，从而实现更好的开关性能。根据各种工作条件，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）在10V的驱动电压下，最大值为900毫欧（在2.5A时），确保了在导通状态下的低功耗损耗。
另外，STU7NM60N的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为4V（在250µA下），确保其在0-4V的栅电压下保持关断状态，防止误触发。同时，其在10V的驱动电压下的栅电荷（Qg）为14nC，有助于快速切换，提高整体功率转换效率。
频率和电容特性 在更高频率应用中，STU7NM60N的输入电容（Ciss）在50V时最大值为363pF。这使其在高速开关过程中减少了开关延迟，优化了整体开关频率性能，适合于高频应用场景。
功耗和热特性 该MOSFET的最大功率耗散为45W（在Tc环境温度下），使其在相对高温下保持稳定，适合高功率电子设备和电源管理应用。其工作温度范围高达150°C（TJ），这为其在严苛环境下的应用提供了可靠保证。
应用场景 STU7NM60N MOSFET被推荐用于多个电子电路应用，包括但不限于：
- AC-DC转换器
- DC-DC转换器
- 电机驱动
- 开关电源
- 逆变器
- 充电器
- LED驱动器
- 其他功率管理应用
由于其高压、高功率和良好的效率，STU7NM60N非常适合现代电源设计方案中需要可靠性的关键组件。
总结 总之，STU7NM60N是一款非常出色的N沟道MOSFET，具备高漏源电压、良好的电流承载能力和极佳的导通性能，适用于多种高功率和高压应用。其可靠性和灵活性使其在电子元器件市场中占据重要地位，是设计工程师们在选择高效电源管理解决方案时理想的选择。无论是在工业领域还是消费电子，STU7NM60N始终能够提供卓越的性能与效率，助力创新与发展。