VESD05A1B-HD1-GS08
VESD05A1B-HD1-GS08参数
| 封装/外壳 | SOD-882 | 最大反向工作电压 | 5V（max） |
| 击穿电压（最小值） | 6V | 钳位电压VC | 11V |
| 工作温度 | -40°C~125°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| 类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 5V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 6V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 11V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 3A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 33W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 19pF @ 1MHz |
| 供应商器件封装 | LLP1006-2L |
VESD05A1B-HD1-GS08手册
VESD05A1B-HD1-GS08概述
产品概述：VESD05A1B-HD1-GS08
VESD05A1B-HD1-GS08是一款由VISHAY（威世）制造的高性能表面贴装齐纳二极管，专为电压瞬变保护设计，尤其适用于多种通用电子应用。其紧凑的SOD-882封装形式（也称为LLP1006-2L）使其在空间极为有限的电路设计中表现出色，能够有效保护敏感电子元件免受高峰值电压的损害。
主要特性
最大反向工作电压： VESD05A1B-HD1-GS08的最大反向工作电压为5V，确保其在正常操作中能够稳定工作，避免因过压导致的损坏。
击穿电压： 此器件的最小击穿电压为6V，确保在超出其额定工作条件时，能够及时触发导通，从而保护后续的电路和设备。这一特性非常适合用于瞬态电压抑制（TVS）应用。
钳位电压： 该元件的钳位电压VC为11V。钳位电压是指器件在承受突发电压时所能承受的最高电压，能有效防止敏感部件受到损坏。11V的钳位电压设计使得其在应对高冲击电流时仍然保持良好的保护性能。
峰值脉冲电流和功率： VESD05A1B-HD1-GS08能承受高达3A的峰值脉冲电流（10/1000µs），以及峰值功率达到33W，这使其在应对各种电气干扰和瞬态电压方面显示出极好的能力。
频率特性： 在1MHz的不同频率下，此器件的电容值为19pF，较低的电容值确保其在高频信号传输中不会引入显著的信号衰减，从而保持良好的信号完整性。
工作温度范围： VESD05A1B-HD1-GS08的工作温度范围为-40°C至125°C，广泛适用于各种工作环境，包括工业和消费电子领域。
应用领域
VESD05A1B-HD1-GS08的主要应用包括：
- 消费电子：例如手机、平板电脑等要求高响应速度和低信号干扰的设备。
- 通信设备：包括路由器、交换机以及其他网络设备，因其需要有效抑制瞬态电压以保护数据平稳传输。
- 工业控制系统：在机器人控制、传感器及自动化系统中，保护电路不受过电压影响。
由于其强大的保护特性与可靠性，VESD05A1B-HD1-GS08是伺服电机驱动器，电源模块以及配件等各类应用的理想选择。
结论
在以快速发展的电子技术要求为背景下，VESD05A1B-HD1-GS08齐纳二极管以其出色的性能参数和广泛的应用适用性，再加上优质的品牌背书，成为了市场上备受推荐的瞬态电压抑制器件之一。通过使用VESD05A1B-HD1-GS08，设计工程师能够显著提高电路的可靠性和稳定性，为各类电子产品的长久使用奠定了卓越的基础。