类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 92mΩ@10V,4A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 280pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SQJA68EP-T1_GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为表面贴装应用设计。由 VISHAY(威世)制造,这款 MOSFET 提供了卓越的电气性能和可靠性,适合广泛的高功率电子设备和应用场景。其独特的设计使其在电源管理、逆变器、马达驱动及其他需求高功率和高效率的应用中表现卓越。
安装类型: SQJA68EP-T1_GE3 采用表面贴装型配置,方便与现代电子印刷电路板(PCB)结合,改善了散热性能,并增强了组件的耐用性及可靠性。
导通电阻: 在应用中,该 MOSFET 的最大导通电阻(Rds On)为92毫欧,条件是在4A、10V的工作状态下。这一低导通电阻值有助于减少功率损耗,提高整体系统的能效。
连续漏极电流: 设备在 25°C 温度下的最大连续漏极电流(Id)为14A(Tc),为高电流应用提供了良好的支持。
Vds和Vgs规格: 该产品具有高达100V的漏源电压(Vdss),与最大栅压(Vgs)±20V的要求,使其在高压工作环境中极其可靠。
输入电容和栅极电荷: 在25V的条件下,其输入电容(Ciss)为280pF,这一高频特性适合高开关频率应用,同时,栅极电荷(Qg)最大值为8nC @ 10V,可确保快速切换和响应时间,适合高频应用场合。
阈值电压: 在不同 Id 的条件下,Vgs(th) 的最大值为2.5V @ 250µA,这一较低的阈值电压提升了 MOSFET 的开关性能及响应速度,使其在低电压驱动时也能实现高效导通。
功率耗散: SQJA68EP-T1_GE3 的最大功率耗散为45W(Tc),能够在高功率条件下稳定运行,确保可靠的长期性能。
该 MOSFET 广泛的工作温度范围为 -55°C 至 175°C(TJ),使其尤其适合苛刻环境条件下的应用如航空航天、汽车及高温工业环境,提供持久的性能和可靠性。
SQJA68EP-T1_GE3 使用 PowerPAK® SO-8L 封装,这一先进的封装设计不仅减少了占用空间,还提高了功率密度和散热性能。其紧凑的尺寸使得设计师可以在有限的空间内集成更多的功能,适应现代电子设备的小型化趋势。
SQJA68EP-T1_GE3 适用于各种高效能电源管理,以及电机驱动和开关电源 (SMPS) 应用。它能够提供低能耗、高热效率的解决方案,尤其是在消费电子、通信设备及光伏系统中显示出极大的潜力。
总之,SQJA68EP-T1_GE3 是一款性能卓越、可靠性高且具有良好功率效率的N通道MOSFET,适用于多种严苛条件下的电子应用。VISHAY(威世)的设计与制造为其提供了强大的市场竞争力,使其成为工程师在选型时的不二之选。无论在高温、高压或是高电流应用场合,SQJA68EP-T1_GE3 都能展现优异的性能,为客户及应用提供可靠确保。