SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3 产品概述

SQJA68EP-T1_GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为表面贴装应用设计。由 VISHAY（威世）制造，这款 MOSFET 提供了卓越的电气性能和可靠性，适合广泛的高功率电子设备和应用场景。其独特的设计使其在电源管理、逆变器、马达驱动及其他需求高功率和高效率的应用中表现卓越。

基础参数

1. 安装类型: SQJA68EP-T1_GE3 采用表面贴装型配置，方便与现代电子印刷电路板（PCB）结合，改善了散热性能，并增强了组件的耐用性及可靠性。

2. 导通电阻: 在应用中，该 MOSFET 的最大导通电阻（Rds On）为92毫欧，条件是在4A、10V的工作状态下。这一低导通电阻值有助于减少功率损耗，提高整体系统的能效。

3. 连续漏极电流: 设备在 25°C 温度下的最大连续漏极电流（Id）为14A（Tc），为高电流应用提供了良好的支持。

4. Vds和Vgs规格: 该产品具有高达100V的漏源电压（Vdss），与最大栅压（Vgs）±20V的要求，使其在高压工作环境中极其可靠。

5. 输入电容和栅极电荷: 在25V的条件下，其输入电容（Ciss）为280pF，这一高频特性适合高开关频率应用，同时，栅极电荷（Qg）最大值为8nC @ 10V，可确保快速切换和响应时间，适合高频应用场合。

6. 阈值电压: 在不同 Id 的条件下，Vgs(th) 的最大值为2.5V @ 250µA，这一较低的阈值电压提升了 MOSFET 的开关性能及响应速度，使其在低电压驱动时也能实现高效导通。

7. 功率耗散: SQJA68EP-T1_GE3 的最大功率耗散为45W（Tc），能够在高功率条件下稳定运行，确保可靠的长期性能。

工作温度范围

该 MOSFET 广泛的工作温度范围为 -55°C 至 175°C（TJ），使其尤其适合苛刻环境条件下的应用如航空航天、汽车及高温工业环境，提供持久的性能和可靠性。

封装与设计

SQJA68EP-T1_GE3 使用 PowerPAK® SO-8L 封装，这一先进的封装设计不仅减少了占用空间，还提高了功率密度和散热性能。其紧凑的尺寸使得设计师可以在有限的空间内集成更多的功能，适应现代电子设备的小型化趋势。

应用场景

SQJA68EP-T1_GE3 适用于各种高效能电源管理，以及电机驱动和开关电源 (SMPS) 应用。它能够提供低能耗、高热效率的解决方案，尤其是在消费电子、通信设备及光伏系统中显示出极大的潜力。

结论

总之，SQJA68EP-T1_GE3 是一款性能卓越、可靠性高且具有良好功率效率的N通道MOSFET，适用于多种严苛条件下的电子应用。VISHAY（威世）的设计与制造为其提供了强大的市场竞争力，使其成为工程师在选型时的不二之选。无论在高温、高压或是高电流应用场合，SQJA68EP-T1_GE3 都能展现优异的性能，为客户及应用提供可靠确保。