STW3N150 产品实物图片
STW3N150 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STW3N150

商品编码: BM0000284579
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
6.5g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 140W 1.5kV 2.5A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
7.86
按整 :
管(1管有600个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.86
--
10+
¥6.55
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

STW3N150参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)2.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9Ω@10V,1.3A
功率(Pd)140W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)29.3nC@1200V输入电容(Ciss@Vds)939pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)13.2pF@25V工作温度-50℃~+150℃

STW3N150手册

STW3N150概述

STW3N150 产品概述

STW3N150 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高电压、大功率的应用场景设计。该器件的关键参数包括漏源电压(Vdss)高达1500V,连续漏极电流(Id)可达2.5A(在25°C环境温度下),其出色的性能使其成为电源转换、工业控制和电机驱动等领域的理想选择。

关键特性

  1. 高漏源电压:STW3N150 的漏源电压达到1500V,能够应对高电压应用,如逆变器和电源供应等,提供强大的设计灵活性。

  2. 适中的连续漏极电流:在25°C的工作条件下,STW3N150 支持2.5A的连续漏极电流(Id),这使得其在中等功率的电路中表现稳定。

  3. 良好的导通性能:该器件在1.3A电流和10V栅电压下的导通电阻(Rds On)仅为9Ω,这保证了低功耗和高效的电能转换,减少了热量产生。

  4. 良好的热管理能力:STW3N150 的最大功率耗散为140W,能够在高功率应用中保持稳定的性能。其最高工作温度可达150°C,确保在恶劣环境下也能可靠工作。

  5. 高栅源极阈值电压:该器件的栅源极阈值电压(Vgs(th))为5V @ 250µA,适合大多数标准栅极驱动电压,简化了电路设计。

  6. 较小的输入电容:输入电容(Ciss)为939pF @ 25V,能够提高开关速度,减少开关损失,这是高频应用中的重要特性。

  7. 封装和安装类型:STW3N150 采用TO-247-3封装,利于散热与机械稳定性,同时通孔安装设计也方便其在各种电路板上的应用。

应用场景

STW3N150 在多个领域中得到了广泛应用:

  • 电源转换:在开关电源、直流-直流转换器等应用中,STW3N150 能够提供高电压、高效率的电流输出,确保设备的稳定运行。

  • 电机驱动:其高耐压和良好的热管理能力使其适用于电机控制器,可以高效地驱动各种类型的电机(如直流电机和无刷电机)。

  • 工业控制:在工业自动化和控制系统中,STW3N150 提供可靠的功率控制,特别是在需要高电流和高电压的驱动场合。

  • 可再生能源:在太阳能逆变器和风能发电系统中,这款设备同样表现出色,能够处理来自可再生能源的高电压输入。

总结

STW3N150 是一款在高电压和高功率应用中表现卓越的N沟道MOSFET,其高漏源电压与良好的导通性能使其适用于各种要求苛刻的环境。凭借其优越的散热能力和宽工作温度范围,STW3N150 一直以来都是电源电子设备设计者的热门选择。无论是在工业控制、电源转换还是电机驱动方面,该器件都能为系统提供稳定而可靠的性能,大幅提升整体设计的效率与安全性。