AO3442 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AO3442

商品编码: BM0000284893
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOT-23-3L
包装 : 
编带
重量 : 
0.068g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.4W 100V 1A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存 :
11907(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.675
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.675
--
200+
¥0.464
--
1500+
¥0.423
--
3000+
¥0.396
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO3442参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)720mΩ@4.5V,0.8A
功率(Pd)1.4W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.5nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)100pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)5pF@50V工作温度-55℃~+150℃

AO3442手册

AO3442概述

AO3442 MOSFET 产品概述

产品简介

AO3442是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),采用SOT-23-3L封装。该器件专为高效能的开关和放大应用而设计,具有优异的电气特性和可靠性,适合各种电子应用的需求。它的参数及特性使其在现代电子电路中得到了广泛应用,尤其是在功率管理、负载开关和电源转换等领域。

主要参数

  1. 漏源电压(Vdss): 100V
    这一参数表明AO3442可以在高达100V的电压下操作,适用于中等电压电路的设计。

  2. 连续漏极电流(Id): 1A (25°C时)
    AO3442在25°C的环境温度下能够提供1A的连续漏极电流,这使得其在供电和信号开关等应用里非常实用。

  3. 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 2.9V @ 250μA
    栅源阈值电压表明该MOSFET在2.9V的栅极电压下能够开始导通,250μA的栅极电流则表明该器件具有较低的开通功耗,适合用于低电压驱动的应用场合。

  4. 漏源导通电阻 (Rds(on)): 630mΩ @ 1A, 10V
    它在1A电流和10V栅源电压下的漏源导通电阻为630mΩ。这一低值有助于减少在导通状态下的功率损耗,提高整体能效。

  5. 最大功率耗散: 1.4W (Ta=25°C)
    AO3442在25°C的环境下最大功率耗散为1.4W,确保在正常工作条件下不会过热,从而增加了其可靠性和耐久性。

  6. 封装类型: SOT-23-3L
    SOT-23-3L封装设计使得AO3442适合于紧凑型电路板设计,同时提供良好的热管理和电气性能。

应用领域

AO3442 MOSFET具备的高电流承载能力和低导通电阻,使其适合于各种应用场合,包括但不限于以下几个方面:

  1. 电源管理: 在DC-DC转换器和电源适配器中,AO3442的高效能可大幅提升转换效率,通过减少功率损耗来提升整体性能。

  2. 负载开关: AO3442能够作为开关元件,通过控制栅极电压轻松实现负载的开启和关闭,适合用于各种电子设备中。

  3. 驱动应用: 由于其较低的栅源阈值电压,AO3442可以与微控制器或逻辑电路兼容,实现高效的信号放大和开关控制。

  4. 音频放大器: 在音频设备中,AO3442的低失真特性使其能够用于高保真音频信号的放大,确保输出信号的清晰度。

  5. 自动化设备: 在自动化系统中,MOSFET的开关速度和稳定性使其非常适合驱动电机和其他负载设备。

性能优势

AO3442不仅在电气性能上表现优异,其小型化的SOT-23-3L封装也使其更易于在尺寸严格的设计中集成。此外,AO3442的电流承载和功率耗散能力保证了其在多个环境条件下的稳定表现。

结论

综合来看,AO3442是一款功能强大且可靠的N沟道MOSFET,适合多种现代电子应用开发。不论是在电源管理、负载开关、信号处理,还是在更复杂的自动化控制系统中,AO3442都能为设计师提供高效的解决方案,是电子元器件选型中的优选项之一。