类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 24A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,8A |
功率(Pd) | 3.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 660pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 77pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AON7410 是一款高效能的 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),具备适用于多种电子应用的优秀性能。这款 MOSFET 由 AOS(Advanced Substrate Solutions)公司生产,是一款设计用于满足现代电子设备高效率和小型化需求的半导体元件。以下是 AON7410 的详细介绍,包括其关键参数、应用场景、优势以及使用建议。
AON7410 MOSFET 的设计使其适用于广泛的应用场景,包括但不限于:
AON7410 的设计充分考虑了电子产品在现代市场中对高效和高集成度的需求,具有以下优势:
在使用 AON7410 时,建议确保其工作条件在规格书定义的参数范围内,以达到最佳性能。在设计时,合理的散热设计和电路保护措施(如电流保护)同样重要,以确保器件的长期可靠运行。此外,在多通道并联使用时,需考虑均流设计,以避免因工艺差异导致的负载不均。
AON7410 是一款强大的 MOSFET,专为现代电力电子设计而生。他的低导通电阻、高电流承载能力以及小型化封装使其成为许多应用的理想选择。无论是在开关电源、电动机驱动,还是其他功率管理领域,AON7410 都能有效提升系统性能和运行效率,是电子设计中不可或缺的重要元件。