SI7108DN-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7108DN-T1-GE3

商品编码: BM0000285493
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® 1212-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.066g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 14A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.339
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.339
--
3000+
¥0.316
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7108DN-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)14A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.9mΩ@10V,22A
功率(Pd)1.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@4.5V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SI7108DN-T1-GE3手册

SI7108DN-T1-GE3概述

SI7108DN-T1-GE3 产品概述

概述

SI7108DN-T1-GE3 是一款高性能的 N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由著名半导体制造商VISHAY(威世)生产。该器件主要用于开关和线性应用,凭借其出色的性能参数,常被广泛应用于电源管理、功率转换、马达控制等领域。

主要特性

  • 漏源电压(Vdss): 最大可达 20V。这使得 SI7108DN-T1-GE3 能够在低压应用中稳定工作,适合电池供电的设备和其他低电压环境。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境下连续可以承受高达 14A 的电流,满足高负载条件下的需求。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 其典型值为 2V @ 250µA,这意味着在较低栅压下就能保持良好的导通性能,显著提高开关效率。
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅压下,导通电阻仅为 4.9mΩ @ 22A,极低的导通电阻可有效降低功耗,并提高整体效率。

额外参数

  • 驱动电压: 在 4.5V 和 10V 的栅压条件下,SI7108DN-T1-GE3 能够实现最大的导通电流,适合用于不同的驱动电路。
  • 栅极电荷 (Qg): 典型值为 30nC @ 4.5V,较小的栅极电荷有助于减少驱动电路的功耗,优化开关频率表现。
  • 工作温度范围: 该器件可以在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内稳定工作,适应各种苛刻的环境条件。

功率耗散

  • 最大功率耗散: 在环境温度为 25°C 时,器件的最大功率耗散为 1.5W,能够应对大多数常见的功率转换应用。

封装与安装

  • 封装类型: SI7108DN-T1-GE3 采用 PowerPAK® 1212-8 封装,这是一种表面贴装型封装设计,便于在现代电路板中集成使用。
  • 适应能力: 由于其紧凑的封装尺寸,适用于高密度的电路板设计,尤其在空间受限的应用场合,能够有效提高产品的紧凑性和集成度。

应用场景

SI7108DN-T1-GE3 被广泛采用于以下应用领域:

  1. 电源管理: 用于开关电源、直流-直流转换器(DC-DC)和其他功率转换设备。
  2. 马达驱动: 在电动机控制系统中用作开关元件,以高效驱动电机。
  3. 消费电子: 可应用于移动设备、智能家居控制器等低功耗设备,提供稳定的电源管理方案。
  4. 汽车电子: 在车辆的电源管理和功率分配系统中,支持较高的温度范围和可靠性。

总结

综上所述,SI7108DN-T1-GE3 是一款高效、可靠的 N沟道 MOSFET,结合了出色的电气特性和良好的热管理能力,适应了现代电子产品对性能和效率的高要求。无论是对于工程师还是产品设计师而言,其卓越的参数和广泛的应用前景,使其成为理想的电子元器件选择。