SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3 产品概述

概述

SI7108DN-T1-GE3 是一款高性能的 N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名半导体制造商VISHAY（威世）生产。该器件主要用于开关和线性应用，凭借其出色的性能参数，常被广泛应用于电源管理、功率转换、马达控制等领域。

主要特性

• 漏源电压（Vdss）: 最大可达 20V。这使得 SI7108DN-T1-GE3 能够在低压应用中稳定工作，适合电池供电的设备和其他低电压环境。
• 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下连续可以承受高达 14A 的电流，满足高负载条件下的需求。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 其典型值为 2V @ 250µA，这意味着在较低栅压下就能保持良好的导通性能，显著提高开关效率。
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅压下，导通电阻仅为 4.9mΩ @ 22A，极低的导通电阻可有效降低功耗，并提高整体效率。

额外参数

• 驱动电压: 在 4.5V 和 10V 的栅压条件下，SI7108DN-T1-GE3 能够实现最大的导通电流，适合用于不同的驱动电路。
• 栅极电荷 (Qg): 典型值为 30nC @ 4.5V，较小的栅极电荷有助于减少驱动电路的功耗，优化开关频率表现。
• 工作温度范围: 该器件可以在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，适应各种苛刻的环境条件。

功率耗散

• 最大功率耗散: 在环境温度为 25°C 时，器件的最大功率耗散为 1.5W，能够应对大多数常见的功率转换应用。

封装与安装

• 封装类型: SI7108DN-T1-GE3 采用 PowerPAK® 1212-8 封装，这是一种表面贴装型封装设计，便于在现代电路板中集成使用。
• 适应能力: 由于其紧凑的封装尺寸，适用于高密度的电路板设计，尤其在空间受限的应用场合，能够有效提高产品的紧凑性和集成度。

应用场景

SI7108DN-T1-GE3 被广泛采用于以下应用领域：

1. 电源管理: 用于开关电源、直流-直流转换器（DC-DC）和其他功率转换设备。
2. 马达驱动: 在电动机控制系统中用作开关元件，以高效驱动电机。
3. 消费电子: 可应用于移动设备、智能家居控制器等低功耗设备，提供稳定的电源管理方案。
4. 汽车电子: 在车辆的电源管理和功率分配系统中，支持较高的温度范围和可靠性。

总结

综上所述，SI7108DN-T1-GE3 是一款高效、可靠的 N沟道 MOSFET，结合了出色的电气特性和良好的热管理能力，适应了现代电子产品对性能和效率的高要求。无论是对于工程师还是产品设计师而言，其卓越的参数和广泛的应用前景，使其成为理想的电子元器件选择。