类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@10V,11A |
功率(Pd) | 227W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@1.0mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 88nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.3nF@100V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SPW17N80C3 是一款由英飞凌(Infineon)公司制造的 N 沟道功率 MOSFET,具有优异的电气特性和高可靠性,广泛应用于高压开关电源、逆变器、电机驱动、照明控制等领域。其主要参数包括能够承受的最高漏源电压达到 800V、连续漏极电流为 17A,以及在高温环境下具有出色的功率耗散能力,最大功率耗散 rated 227W。
高漏源电压(Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压能力达到 800V,允许在高压应用中使用,满足各种工业和消费电子产品的需求。
高连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境温度下,SPW17N80C3 可以承载高达 17A 的连续漏极电流,适合用于需要较大电流的应用场合。
低漏源导通电阻: 虽然在较高电流下(如11A和10V偏置),其漏源导通电阻仅为 290mΩ,保证了在开启状态下低能量损耗,提升了整体电路的效率。
栅源极阈值电压: SPW17N80C3 的栅源阈值电压为 3.9V @ 1mA,能够适应多种栅极驱动电压,进一步提高电路的兼容性和灵活性。
封装类型: 该器件采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,适合高功率应用,使其在实际使用过程中能够保持较低的工作温度。
SPW17N80C3 是一种适用于多种电力电子设备的高级 MOSFET,主要应用于以下几个领域:
高压开关电源: 凭借其高耐压能力和高效率,能够在各种高压开关电源设备中提供可靠的性能。
逆变器: 在光伏发电、风能发电等可再生能源逆变器中,其高电压和高电流特性能够保障系统的稳定性和安全性。
电动机驱动控制: 该 MOSFET 适合用于电动机驱动器,提供必要的电流并控制电机的启动与调速。
照明控制系统: 凭借其良好的热管理和导通性能,可以用于 LED 照明控制电路中,提升系统的整体效率。
总之,SPW17N80C3 是一款融合高性能与高可靠性的 N 沟道功率 MOSFET,凭借其 800V 的高电压和 17A 的大电流能力,成为现代电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在高频开关电源、逆变器,还是在电机驱动与照明控制系统中,该元器件都能提供高效、稳定的解决方案,是需要高电压、强电流应用领域的理想选择。对于设计工程师而言,选择 SPW17N80C3 不仅可提高产品性能,同时也增强了系统的可靠性和经济性。