类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8Ω@10V,1A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 280pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STD2HNK60Z-1是ST(意法半导体)公司推出的一款N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高电压和中等电流应用设计,能够承载高达600V的漏源电压和2A的连续漏极电流,适用于广泛的功率转换和开关调节电路。这款MOSFET在热管理性能方面表现优良,具备高达45W的最大功率耗散能力,并在-55°C至150°C的广泛工作温度范围内提供可靠的性能。
STD2HNK60Z-1适用于多种应用,包括但不限于:
STD2HNK60Z-1采用通孔封装TO-251-3(I-PAK),该封装形式适合于散热和机械强度要求较高的应用。短引线设计不仅有助于降低电感,也便于在PCB上进行安装,方便在紧凑型设计中使用。
STD2HNK60Z-1是一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其600V的高漏源电压、2A的连续漏极电流、45W的功率耗散能力以及优越的热特性,成为中高压应用中的理想选择。其多样的应用场景包括开关电源、电机驱动及逆变器等,在现代电气和电子设备中具备广泛的市场需求。借助ST的技术积累和生产工艺,STD2HNK60Z-1为设计师提供了一个高效、可靠且经济的解决方案。