STF25NM50N

STF25NM50N 产品概述

STF25NM50N 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TO-220-3 封装。该器件设计用于高电压和大电流的应用，具有优异的导通效率和优良的热性能，适合在多种严苛环境下工作。

1. 基本参数和规格

• 封装类型: TO-220-3，具备良好的散热性能，便于通过通孔安装在不同的电路板上。
• FET类型: N 通道 MOSFET，提供优势的导电特性和较低的导通电阻。
• 漏源极电压 (Vdss): 500V，这使 STF25NM50N 在高电压应用中非常可靠，适合用于电源转换器、逆变器等场合。
• 连续漏极电流 (Id): 22A（在 25°C 環境下），适合于大功率应用。
• 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压下，最大值为 140 毫欧（@ 11A），确保较低的能量损耗，提高了系统的整体效率。

2. 工作特性

• 驱动电压: 最大 Rds(on) 时的驱动电压为 10V，这一电压范围使得器件既能在标准逻辑水平下操作，又能在更高的有效电压下提升驱动能力。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大为 4V（在 250µA 电流下），便于设计低功耗控制电路。
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为 84nC @ 10V，低栅电荷特性意味着在高频开关应用中可以实现更快的开关速度，有效降低开关损耗。
• 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 2565pF @ 25V，为高频应用提供了相对较低的驱动负载。

3. 热性能与功率处理

• 功率耗散: STF25NM50N 的最大功率耗散为 40W（允许情况下），使其在高功率密度应用中表现出色。
• 工作温度范围: 器件能在 -55°C 到 150°C 的宽温度范围内工作，确保在极端环境中也能可靠运行。

4. 应用领域

STF25NM50N 的特性使其适合于以下应用领域：

• 开关电源: 在电源转换器中用作开关器件，以提高能效并降低热量产生。
• 逆变器: 广泛应用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和电动机驱动器中，为系统提供高效的电能转换。
• 电气驱动: 在电动机控制、电源管理等领域中，作为控制开关元件负责电能的快速开/关。
• 功率放大器: 在射频放大器和音频放大器应用中作为主要开关器件，提供强大的电流处理能力。

5. 总结

STF25NM50N 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，提供了优越的电气特性和广泛的应用范围。它的设计重点使其在需要高电压、低导通电阻和良好热管理的应用中表现突出。无论在电源转换、逆变器还是电机驱动应用领域，STF25NM50N 都是一款可靠、高效的选择，能够满足现代电子设备对性能和效率的苛刻要求。