IRF540NSTRLPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
2.343g
描述 :
场效应管(MOSFET) 130W 100V 33A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
22401(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.94按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.94
--
50+
￥2.26
--
16000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF540NSTRLPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 33A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 44mΩ @ 16A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 130W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 16A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 71nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1960pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF540NSTRLPBF手册
IRF540NSTRLPBF概述
产品概述：IRF540NSTRLPBF
IRF540NSTRLPBF 是一款由英飞凌（Infineon）公司制造的高性能 N 通道功率金属氧化物场效应管（MOSFET），其出色的电气特性和宽广的工作温度范围使其在多种应用中具有优良的适用性。这种 MOSFET 适用于中高电压、电流条件下的开关和放大应用，特别是在电源管理、电动汽车、逆变器以及其他功率电子设备中广泛使用。
主要技术参数
- 漏源电压（Vdss）：此 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，使其适合于高电压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 下，IRF540N 的连续漏极电流可达到 33A，展示了其强大的电流承载能力。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：栅源极阈值电压为 4V（@ 250µA），这意味着只需相对较低的栅电压即可开启器件，从而提高了开关效率。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅电压和 16A 的漏极电流下，漏源导通电阻为 44mΩ，这有助于降低功耗并提高功率转换效率。
- 最大功率耗散：该器件的最大功率耗散为 130W（在散热条件下），可确保其在高负载条件下的稳定性和可靠性。
- 工作温度范围：IRF540N 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其在极端环境下仍能保持良好的工作性能，这对于需要在恶劣条件下运行的应用非常重要。
设计特性与应用
高效能控制： IRF540N 采用 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻和高的开关速度，从而提升了功率转换效率。对于高效能电源转换和控制系统来说，IRF540N 可以显著减少能量损失。
广泛的应用场景： IRF540N 适合用于直流电机驱动、开关电源、逆变器、电池管理系统及其他高频开关应用。其高耐压和大电流能力使其在电力传输和分配系统中尤为重要，能够支持电源中的高瞬态电流需求。
表面贴装型封装： 采用 D2PAK 封装（TO-263-3）使其在设计上便于自动化安装，同时提高了散热能力。该封装设计能够有效地管理器件发热，为高功率应用提供稳定支撑。
良好的可靠性： IRF540N 的设计考虑了电子设备的长期运行稳定性，其高工作温度容忍度确保能够在高温环境中可靠工作，适合于工业及汽车等针对安全性要求较高的领域。
结论
IRF540NSTRLPBF MOSFET 的强大特性和宽广适用性，使其在现代电力电子领域中成为一个极为重要的元件。无论是在家用电器、电动汽车，还是在更广泛的工业应用中，IRF540N 都表现出了卓越的性能。凭借其出色的导电性和高温性能，它是实现高效能和高可靠性电源解决方案的优选。选择 IRF540N 作为电源设计的核心组件，将为用户提供高效、稳定及经济的解决方案。