类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id) | 9.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,5.6A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.51nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7493TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能 N 沟道 MOSFET,广泛应用于各类电源管理、电机驱动和开关电源等领域。这款场效应管的设计旨在提供优异的效率和可靠性,特别适合需要高电压和大电流处理的应用。以下是 IRF7493TRPBF 的详细产品概述。
IRF7493TRPBF 的基本参数包括:
IRF7493TRPBF 是表面贴装类型(SMD),采用 8-SOIC 封装,尺寸为 0.154" x 3.90mm,便于集成到较小尺寸的电路板上。其封装设计在确保电气性能的同时,也有利于优化散热,提高工作效率。
这款 MOSFET 适用于多种应用场景,包括:
IRF7493TRPBF 的设计考虑到高温和极端环境的运行条件,其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,能够满足汽车电子、工业控制和消费电子的高可靠性要求. 此外,该产品还符合 RoHS 标准,确保在使用过程中的环保和安全性。
总之,IRF7493TRPBF 作为一款性能优异的 N 沟道 MOSFET,凭借其高电流处理能力、低导通电阻和广泛的应用范围,为电子工程师提供了一个理想的解决方案。在选择组件时,其出色的电气特性和适应性,使得 IRF7493TRPBF 成为多种高效能应用的优选元件。无论是在电源管理、电机控制还是 LED 驱动方面,IRF7493TRPBF 都能提供出色的表现,确保设计的成功和系统的可靠性。