IRF7493TRPBF 产品实物图片
IRF7493TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF7493TRPBF

商品编码: BM0000285926
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.286g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 80V 9.3A 1个N沟道 SOP-8
库存 :
4078(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.4
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.4
--
4000+
¥2.31
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7493TRPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)9.3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,5.6A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)35nC输入电容(Ciss@Vds)1.51nF
反向传输电容(Crss@Vds)130pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRF7493TRPBF手册

IRF7493TRPBF概述

IRF7493TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能 N 沟道 MOSFET,广泛应用于各类电源管理、电机驱动和开关电源等领域。这款场效应管的设计旨在提供优异的效率和可靠性,特别适合需要高电压和大电流处理的应用。以下是 IRF7493TRPBF 的详细产品概述。

主要参数

IRF7493TRPBF 的基本参数包括:

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
  • 漏源电压(Vds): 80V,适合利用这一电压范围的多种应用
  • 连续漏极电流(Id): 9.3A (在 25°C 的情况下,通用的工作环境)
  • 驱动电压: 在 10V 的条件下,表现出最小的导通电阻 Rds(on)
  • 导通电阻 Rds(on): 在 Id 为 5.6A 时,最大值为 15mΩ,表明其在开关过程中可以实现低损耗
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 4V (@ 250µA),适合低压驱动电路
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 53nC(@10V),影响开关频率和驱动需求
  • 输入电容(Ciss): 最大值为 1510pF(@ 25V),指标显示在高频应用中的表现
  • 功率耗散: 2.5W(在 Tc 温度下运行时)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,适合各种环境条件,确保在严苛条件下也能正常工作

安装及封装

IRF7493TRPBF 是表面贴装类型(SMD),采用 8-SOIC 封装,尺寸为 0.154" x 3.90mm,便于集成到较小尺寸的电路板上。其封装设计在确保电气性能的同时,也有利于优化散热,提高工作效率。

应用场景

这款 MOSFET 适用于多种应用场景,包括:

  1. 开关电源: IRF7493TRPBF 可以用于DC-DC转换器,提高能量转换效率。
  2. 电机驱动: 在现代电动机控制系统中,可以实现有效的电流调控,提升电机性能。
  3. 高频开关应用: 由于其低 Rds(on) 和快栅极电荷特性,适合高清晰度信号处理和信号放大。
  4. LED 驱动: 在LED灯的驱动电路中,能够实现更好的电流控制,延长LED的使用寿命。

可靠性与耐用性

IRF7493TRPBF 的设计考虑到高温和极端环境的运行条件,其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,能够满足汽车电子、工业控制和消费电子的高可靠性要求. 此外,该产品还符合 RoHS 标准,确保在使用过程中的环保和安全性。

总结

总之,IRF7493TRPBF 作为一款性能优异的 N 沟道 MOSFET,凭借其高电流处理能力、低导通电阻和广泛的应用范围,为电子工程师提供了一个理想的解决方案。在选择组件时,其出色的电气特性和适应性,使得 IRF7493TRPBF 成为多种高效能应用的优选元件。无论是在电源管理、电机控制还是 LED 驱动方面,IRF7493TRPBF 都能提供出色的表现,确保设计的成功和系统的可靠性。