IRFR3410TRPBF
IRFR3410TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1690pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR3410TRPBF手册
IRFR3410TRPBF概述
IRFR3410TRPBF 产品概述
基本介绍
IRFR3410TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应管)，由知名半导体供应商 Infineon（英飞凌）出品。其设计目标是提供卓越的功率控制和高效的开关性能，适用于各种功率管理和信号调节应用。该器件采用 TO-252-3（D-Pak）封装，专为表面贴装电路设计，便于在高密度电路板上高效组装。
主要规格
漏源电压 (Vdss): IRFR3410TRPBF 的漏极源极电压可达 100V。这使其可以在高电压环境下正常工作，适用于中高压应用场合。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的条件下，该 MOSFET 支持最大连续漏极电流为 31A。这一特性确保了在较高负载下稳定的工作性能。
最大导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压下，当漏极电流为 18A 时，其最大导通电阻为 39 毫欧。这一低导通电阻意味着在工作时能量损耗较小，有助于提高整体电源效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值可达到 4V，且在 250µA 的漏极电流下有效。这一特性可以确保 MOSFET 在低电压驱动情况下也能快速导通。
栅极电荷 (Qg): 其最大栅极电荷为 56nC（在 10V 时测量），这一特性对于高频开关应用非常重要，能够实现快速响应。
输入电容 (Ciss): 在 25V 时，其输入电容最大值为 1690pF，较高的输入电容通常有助于实现公共地连接和驱动性能，适合于变化频繁的电路。
功率耗散: IRFR3410TRPBF 最大功率耗散可达到 110W（在 Tc 条件下）以及 3W（在 Ta 环境温度下）。此性能附加保障了器件在高功率应用下的可靠性。
工作温度范围: 其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其在极端环境条件下依旧能够稳定运行，特别适合航空航天、汽车电子等应用。
封装与安装: 采用表面贴装型 TO-252-3 封装，具备良好的散热性能与空间利用率，适合在现代电子产品中实现高密度布局。
应用场景
IRFR3410TRPBF 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源转换器: 用于 DC-DC 转换器、逆变器等设备，提升能源转换效率，降低损耗。
- 电机驱动: 在电动机控制以及驱动电路中作为开关元件，确保电机启动和平稳运行。
- 消费电子产品: 用于笔记本电脑、平板电脑等设备中的电源管理模块，优化功耗控制。
- 汽车应用: 在汽车电子、混合动力和电动汽车的动力管理和控制系统中，增强行驶安全性与能效。
结论
总体而言，IRFR3410TRPBF 作为一款高压、大电流、低导通电阻的 N-channel MOSFET，凭借其优越的电气特性以及广泛的应用潜力，将为设计工程师在功率管理和高效能应用中提供强有力的解决方案。其耐高温、稳健的设计使其在各种极端工况下均能保持良好性能，为现代电子产品的可靠性与性能做出了重要贡献。