SI7288DP-T1-GE3
SI7288DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A |
| 栅源极阈值电压 | 2.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 19mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 15.6W | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 565pF @ 20V | 功率 - 最大值 | 15.6W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 |
SI7288DP-T1-GE3手册
SI7288DP-T1-GE3概述
SI7288DP-T1-GE3 产品概述
SI7288DP-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）生产的双N通道场效应管（MOSFET），其设计特点使其在高效能、高可靠性的电子设备中广泛应用。此款 MOSFET 的主要参数包括漏源电压（Vdss）为 40V，连续漏极电流（Id）在 25°C 时为 20A，具备良好的导通性能和热特性，适合用于各种电源管理及开关控制的情境。
1. 电气特性
SI7288DP-T1-GE3 的漏源电压（Vdss）为 40V，使其能够在多个应用场合中避免击穿，保护电路安全。其在 25°C 时的持续漏极电流（Id）为 20A，使得该产品可以处理较高的电流负载。在功率管理应用中，该 MOSFET 反馈的最大功率耗散为 15.6W，这保证了其在高功率应用中具有出色的热管理能力。
导通电阻（RDS(on)）为19mΩ，这意味着 SI7288DP-T1-GE3 在正常操作下能够大幅度减少功率损耗，提高整体效率。当在 VGS（栅源电压）为10V，电流为10A时测得的导通电阻性能极为优良，这在DC-DC转换器和电源开关中至关重要。
此外，在 10V 的栅源驱动下，栅极电荷（Qg）为15nC，这为高频率的开关操作提供了较快的响应时间，适合应用于要求快速换向的场合。
2. 温度特性
SI7288DP-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够适应严酷环境。这一广泛的温度适应性使得该 MOSFET 可应用于汽车电子、工业设备及航空航天领域等要求苛刻的环境中。
3. 封装与安装
该器件采用 PowerPAK® SO-8 双封装，这种表面贴装型设计不仅节省了电路板空间，还提升了热性能。较小的封装尺寸结合良好的散热性能，使得 SI7288DP-T1-GE3 能够在密集布置的电路中保持良好的工作状态。
4. 应用领域
由于其出色的电气特性和可靠的温度范围，SI7288DP-T1-GE3 特别适用于以下应用：
- 电源转换器：在电压转换及电源管控情况下提供优质的开关性能。
- 电动车辆：适合在电动汽车与混合动力汽车中的电池管理系统。
- 工业控制设备：承载高电流负载，并确保设备可靠性。
- 消费电子：用于手机、计算机等设备的电源管理。
- 通信设备：增益控制以及其他需要精密开关的电路。
5. 结论
SI7288DP-T1-GE3 的高性能特性使其成为现代电源管理和开关控制应用中的一个极佳选择。厂家 VISHAY（威世）以其优异的质量和技术支持，为电子设计工程师提供了一个性能可靠且经济的解决方案。无论是在高频操作还是高电流应用中，SI7288DP-T1-GE3 都能发挥出色，进一步推动电子产品朝着低能耗和高效率的目标发展。