STP5NK80Z 产品实物图片
STP5NK80Z 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP5NK80Z

商品编码: BM0000286455
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.74g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 110W 800V 4.3A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
16.09
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥16.09
--
1000+
¥15.65
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP5NK80Z参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)4.3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.4Ω@10V,2.15A
功率(Pd)110W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)45.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)910pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STP5NK80Z手册

STP5NK80Z概述

STP5NK80Z 产品概述

产品简介

STP5NK80Z 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高压和高电流应用设计。该器件具有高达800V的漏源电压和连续漏极电流4.3A,适用于各种工业设备和电源管理应用。

技术特性

  1. 工作电压与电流

    • 漏源电压(Vdss):STP5NK80Z的最大漏源电压为800V,能够满足高压电路的需求。
    • 连续漏极电流(Id):在25°C时,器件的最大连续漏极电流为4.3A,适合驱动中小功率负载。
  2. 导通电阻

    • 器件在最大条件下(Id = 2.15A, Vgs = 10V)时的导通电阻为2.4Ω。这一特性保证了在过载情况下能够有效降低功率损耗,从而提高整体系统的效率。
  3. 栅极驱动电压

    • STP5NK80Z的栅极驱动电压范围为10V,这为设计提供了良好的兼容性,以适应不同的驱动电路。同时,最大栅极源电压(Vgs)为±30V,具备良好的抗过压能力。
  4. 栅极电荷(Qg)

    • 器件的栅极电荷在10V时最大为45.5nC,这对于高频开关应用尤为重要。较低的栅极电荷意味着更快的开关速度与更低的驱动功耗。
  5. 输入电容

    • 在25V时,输入电容(Ciss)最大值为910pF。较高的输入电容能够有效抑制高频噪声,确保电路的稳定性。
  6. 功率耗散

    • STP5NK80Z的最大功率耗散为110W(在Tc条件下),显示出其出色的散热能力,适合高功率应用。
  7. 温度范围

    • 器件的工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,这使其能够在极端条件下保持稳定的工作状态。高温耐受能力使得该MOSFET在恶劣环境中仍能正常发挥作用。
  8. 封装类型

    • STP5NK80Z采用TO-220封装,这种通孔类型的封装具有良好的散热特性,便于与散热器连接,适合高功率应用环境。

应用领域

STP5NK80Z广泛应用于以下领域:

  • 工业电源:高压电源、高频开关电源以及交流电调速器等。
  • 电机驱动:可用于各类电机的驱动电路,尤其是在高压和高电流条件下的应用。
  • 电源管理:用于蓄电池管理系统中的功率开关以及能量转换模块。
  • 家电设备:如逆变器和变频器等应用,在这些设备中需要高效的电源开关控制。

总结

STP5NK80Z凭借其优越的电气性能和广泛的工作环境适应性,成为高压应用中的理想选择。该器件不仅能有效控制功率损耗,还能提供稳定的工作性能,确保各类电气设备的安全和高效运行。在追求更高效率与更可靠性的现代电源设计中,STP5NK80Z无疑是一个值得信赖的选择。