类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,2.15A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 45.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 910pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STP5NK80Z 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高压和高电流应用设计。该器件具有高达800V的漏源电压和连续漏极电流4.3A,适用于各种工业设备和电源管理应用。
工作电压与电流:
导通电阻:
栅极驱动电压:
栅极电荷(Qg):
输入电容:
功率耗散:
温度范围:
封装类型:
STP5NK80Z广泛应用于以下领域:
STP5NK80Z凭借其优越的电气性能和广泛的工作环境适应性,成为高压应用中的理想选择。该器件不仅能有效控制功率损耗,还能提供稳定的工作性能,确保各类电气设备的安全和高效运行。在追求更高效率与更可靠性的现代电源设计中,STP5NK80Z无疑是一个值得信赖的选择。