CSD18533Q5A 产品实物图片
CSD18533Q5A 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

CSD18533Q5A

商品编码: BM0000286751
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
8-VSONP(5x6)
包装 : 
编带
重量 : 
0.391g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.2W;116W 60V 17A;100A 1个N沟道 VSONP-8(5x6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.93
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.93
--
2500+
¥2.8
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

CSD18533Q5A参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)17A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.7mΩ@10V,18A
功率(Pd)3.2W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.75nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)9pF@30V工作温度-55℃~+150℃

CSD18533Q5A手册

CSD18533Q5A概述

产品概述:CSD18533Q5A MOSFET

1. 产品简介

CSD18533Q5A是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款高性能N通道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件采用表面贴装型封装(8-VSONP 5x6),适用于各种高效能电源管理应用。凭借其优越的导通电阻、宽广的工作温度范围以及高的功率耗散能力,CSD18533Q5A成为了现代电子设计中不可或缺的元件之一。

2. 关键特性

  • 导通电阻:在18A、10V时最大值为5.9毫欧,确保了较低的功率损耗和更高的效率。
  • 驱动电压:本产品在4.5V至10V的范围内工作,确保其在多种应用场合下的有效操作。
  • 连续漏极电流:在环境温度25°C时(Ta),CSD18533Q5A可承载17A的漏极电流;而在温度控制条件下(Tc),则可承载高达100A的漏极电流。
  • 漏源电压:该MOSFET的漏源电压(Vdss)高达60V,适合于中等电压的应用。
  • 功率耗散:最大功耗为3.2W(环境温度条件)与116W(温控条件),足以应对大多数电源转换负载。
  • 工作温度:在-55°C至150°C的广泛温度范围内运行,极大地提升了应用场景的灵活性,尤其适用于恶劣环境下的工业设备和汽车应用。
  • 栅极电荷:在10V的条件下,最大栅极电荷(Qg)为36nC,确保了快速开关特性,适用于高频开关应用。

3. 应用场景

CSD18533Q5A广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、LED驱动器及电路保护等多个领域。考虑到其卓越的开关性能和电流承载能力,该器件特别适合于高效电源设计及低功耗电路中的应用需求。

4. 结论

CSD18533Q5A MOSFET凭借优秀的电性能和可靠的工作特性,是工程师在设计高效率、高可靠性电路时的理想选择。其紧凑的封装形式和宽广的应用场景,使得它在竞争激烈的电子元器件市场中独树一帜。通过使用CSD18533Q5A,系统设计者可以大幅提升整体系统的效率与稳定性,满足现代电子应用对高性能器件的迫切需求。

5. 购买与支持

如您有意向购买CSD18533Q5A或寻求更多技术支持,建议访问德州仪器的官方网站或直接联系他们的销售支持团队,以获取最新的产品信息和技术资料。

总的来说,CSD18533Q5A是一款在电源系统设计中不可或缺的重要元件,其高效率、优良的电流处理能力及卓越的热性能,使其成为众多设计方案的理想之选。