类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.7mΩ@10V,18A |
功率(Pd) | 3.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 29nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.75nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 9pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
CSD18533Q5A是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款高性能N通道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件采用表面贴装型封装(8-VSONP 5x6),适用于各种高效能电源管理应用。凭借其优越的导通电阻、宽广的工作温度范围以及高的功率耗散能力,CSD18533Q5A成为了现代电子设计中不可或缺的元件之一。
CSD18533Q5A广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、LED驱动器及电路保护等多个领域。考虑到其卓越的开关性能和电流承载能力,该器件特别适合于高效电源设计及低功耗电路中的应用需求。
CSD18533Q5A MOSFET凭借优秀的电性能和可靠的工作特性,是工程师在设计高效率、高可靠性电路时的理想选择。其紧凑的封装形式和宽广的应用场景,使得它在竞争激烈的电子元器件市场中独树一帜。通过使用CSD18533Q5A,系统设计者可以大幅提升整体系统的效率与稳定性,满足现代电子应用对高性能器件的迫切需求。
如您有意向购买CSD18533Q5A或寻求更多技术支持,建议访问德州仪器的官方网站或直接联系他们的销售支持团队,以获取最新的产品信息和技术资料。
总的来说,CSD18533Q5A是一款在电源系统设计中不可或缺的重要元件,其高效率、优良的电流处理能力及卓越的热性能,使其成为众多设计方案的理想之选。