DAP222TL
DAP222TL参数
| 反向恢复时间（trr） | 4ns | 直流反向耐压（Vr） | 80V |
| 平均整流电流（Io） | 100mA | 正向压降（Vf） | 1.2V @ 100mA |
| 二极管配置 | 1 对共阳极 | 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 80V | 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 100mA |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.2V @ 100mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间 (trr) | 4ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 70V |
| 工作温度 - 结 | 150°C（最大） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 | 供应商器件封装 | EMD3 |
DAP222TL手册
DAP222TL概述
DAP222TL 产品概述
产品简介
DAP222TL是一款由知名半导体厂商ROHM（罗姆）提供的开关二极管，采用表面贴装型封装(SC-75)，主要应用于高速开关和信号整流领域。其卓越性能使其成为电源管理、信号处理和通信设备中的重要组成部分。
基础参数
反向恢复时间 (trr)：4ns
DAP222TL的反向恢复时间为仅4纳秒，这一性能参数使其非常适合高频开关应用。较短的反向恢复时间降低了开关损耗，提高了整体电路的效率。直流反向耐压 (Vr)：80V
此二极管可承受高达80V的直流反向电压，适用于需要较高耐压的工作环境，能够有效防止电路中可能出现的过电压情况，保证设备的安全可靠。平均整流电流 (Io)：100mA
DAP222TL的平均整流电流为100mA，适合低功率应用，如小型电源适配器、LED驱动或信号调理电路。该特性确保了设备在耗电不高的环境中稳定运行。正向压降 (Vf)：1.2V @ 100mA
在100mA的工作条件下，正向压降为1.2V。这一参数对于电路设计师来说具有重要意义，因为它直接影响到功耗和热管理的设计。反向泄漏电流：100nA @ 70V
在70V的反向偏置条件下，DAP222TL的反向泄漏电流仅为100nA，这显示出其优秀的密封性能与有限的漏电流表现，进一步提升了其能效。工作温度 - 结：150°C（最大）
该二极管的结温上限为150°C，这为其在高温环境下的应用提供了广泛的适应性。
二极管配置和应用
DAP222TL采用的是1对共阳极配置，适合在需要双向导电或快速开关的电路中使用。其主要应用包括但不限于：
- 高频开关电源
- 信号整流
- RF调制解调器
- 通信设备
- 电子开关
- LED驱动和保护电路
封装与安装
DAP222TL采用SC-75 (SOT-416)封装，这种小型表面贴装封装有助于节省PCB空间，便于集成到小型电子设备中。同时，该封装设计提升了散热性能和加工效率，适合于自动化焊接和大规模生产。
战略意义
随着电子设备对小型化、高性能和高能效的要求不断提高，DAP222TL凭借其优越的电气性能和可靠的工作特性，能够满足当今市场的多样化需求。ROHM作为已有数十年历史的半导体制造商，其产品质量和技术支持享有良好的声誉，确保DAP222TL在竞争激烈的市场中具备一定的优势。
结论
DAP222TL是一款性能优越的开关二极管，符合现代电子设备对高效能和可靠性的期望，特别是在高频应用和低功耗整流场景中表现出色。其出色的电气参数和合理的封装选择，使其成为理想的选择，适合广泛的应用场合。无论是在新产品开发还是在现有设计中的二极管替代，DAP222TL都能提供理想的解决方案。