类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 6.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@4.5V,6A |
功率(Pd) | 780mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.6nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 550pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品概述:DMN2041L-7 N沟道MOSFET
DMN2041L-7是由DIODES(美台)公司生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),该器件设计用于各种电子应用,特别是在需要高效能和小型化设计的电路中。这款MOSFET的表面贴装封装类型为SOT-23,便于在现代电子设备中实现空间节省与简易集成。
主要参数和特点
漏源电压(Vdss): DMN2041L-7具有20V的漏源电压,可以有效承受高达20V的电压,使其适用于多种电源和开关应用。其优秀的电压承受能力使得该器件适合于低压直流电源管理中。
连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,该器件的连续漏极电流达到6.4A,显示出其在大电流应用中的可靠性。这一点尤其适合用于负载驱动和电源开关电路。
导通电阻(Rds On): DMN2041L-7在4.5V的栅源电压下,导通电阻仅为28mΩ。在高频切换和大电流流通的场景中,低导通电阻能有效降低功耗和发热,提高系统的工作效率。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 此器件的栅源极阈值电压为1.2V @ 250µA,意味着相对较小的控制电压就可开启MOSFET,适合于信号驱动电路和低电压逻辑电路中,能够实现快速开启和关闭。
功率耗散能力: 在环境温度25°C下,DMN2041L-7的最大功率耗散为780mW,这让其在不断电流流过时保持较低的温升,适合长时间稳定工作于恶劣环境中。
工作温度范围: 此器件可在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作,适合于汽车、工业、和高温环境下的应用,保证了其在多种极端条件下的可靠性。
电气特性与效率: 在高频开关应用中,该器件的输入电容(Ciss)为550pF @ 10V和栅极电荷(Qg)为15.6nC @ 10V,意味着其具有较快的开关速度和较低的功耗,适合应用于高效率的开关电源和电机驱动。
应用场景
凭借其低导通电阻、高电流承载能力以及宽工作温度范围,DMN2041L-7广泛应用于各种电子设备中,包括:
封装与安装
DMN2041L-7采用SOT-23封装,具有小型化和表面贴装特性,便于现代电子设备深入集成。其封装兼容多种焊接技术,降低了生产过程中的复杂性,适合大规模生产和可靠的自动化组装。
总结
综上所述,DMN2041L-7 N沟道MOSFET以其卓越的性能特征和广泛的应用前景,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在家用电器、工业设备、汽车电子,还是在消费电子领域,都能为工程师和设计师提供有效的解决方案,以满足各类需求。通过它的高效能与可靠性,DMN2041L-7将持续推动电子创新与发展。