类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 171A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.9mΩ@10V,103A |
功率(Pd) | 517W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 227nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 10.47nF@50V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
IRFP4568PBF 是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计侧重于高电压和高电流应用。该器件的主要参数包括最大漏源电压为 150V、连续漏极电流能力高达 171A(在特定的工作条件下),其导通电阻(Rds(on))在10V的栅极驱动下可达最小值为 5.9毫欧,表现出卓越的高效能和稳定性。
IRFP4568PBF MOSFET 适用于多个挑战性应用领域,包括但不限于:
IRFP4568PBF 是一款优秀的N通道MOSFET,适合高电压、高电流应用,能够满足现代电子设备对能效和可靠性的严苛要求。凭借其优越的性能和适应性,该产品在功率半导体市场中有着广泛的应用潜力,为设计工程师们提供了方便,使其能够在电源管理、电机控制和高频电子设备中的设计中充分利用这些特性。无论是在工业、消费电子还是新能源领域,IRFP4568PBF 显示出其强大的适应性与领先技术,值得工程师们考虑应用于他们的产品设计中。